Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能
全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS)在2016年APEC上发布了新一代100V N沟道Power MOSFET旗舰产品——FDMS86181 100V屏蔽栅极PowerTrench? MOSFET。FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件,能够使需要100V MOSFET的电源、电机驱动和其他应用极大地提升效率、降低电压振铃并减弱电磁干扰(EMI)。
近25年前,Fairchild曾率先在PowerTrench MOSFET上取得了成功。新一代PowerTrench产品将会让我们继续处于MOSFET技术研发的最前沿,领先于竞争对手,并满足客户严苛的要求。
Fairchild副总裁兼iFET业务部门总经理Suman Narayan表示:“相对于此前产品,我们的新型100V N沟道FET已取得巨大进步。从能效到可靠性,新一代PowerTrench MOSFET系列产品在各个性能类别的表现几乎都优于竞争对手,堪称行业领先。”
新型FDMS86181的主要优点分别为:Rdson减少了40%,从而降低了导通损耗;最大程度降低栅极电荷(Qg),从而减少了开关损耗。FDMS86181极低的反向恢复电荷(Qrr)几乎消除了产生振铃的电压过冲隐患,这就允许在产品设计时少用或者不用缓冲器并降低电磁干扰(EMI)。 利用FDMS86181的这一独特优势,设计人员不但减小了产品的尺寸,同时还降低了物料(BOM)成本。
本文为华强电子网原创,版权所有,转载需注明出处
关注电子行业精彩资讯,关注华强资讯官方微信,精华内容抢鲜读,还有机会获赠全年杂志
关注方法:添加好友→搜索“华强微电子”→关注
或微信“扫一扫”二维码
- •SiC MOSFET如何提高 AI 数据中心的电源转换能效2025-04-10
- •摩尔斯微电子推出MM8102 Wi-Fi HaLow芯片,推动物联网新浪潮2025-03-14
- •Arm 发布芯粒系统架构首个公开规范,加速芯片技术演进2025-02-06
- •安森美将收购碳化硅 JFET 技术,以增强其针对人工智能数据中心的电源产品组合2024-12-10
- •安森美将为大众汽车集团的下一代电动汽车提供电源技术2024-07-23
- •安森美将携创新的智能图像感知产品组合亮相Vision China(上海)20242024-07-01
- •安森美选址捷克共和国打造端到端碳化硅生产,供应先进功率半导体2024-06-20
- •大联大世平集团推出基于onsemi、Vishay和Toshiba产品的30W反激式辅助电源方案2024-06-11
- •安森美推出提高数据中心能效的完整电源解决方案2024-06-06
- •CFMS 2017峰会:一场超越行业期望的存储界盛会2017-09-08