SONY GPS芯片采用FD-SOI工艺功耗可降低九成

SONY GPS芯片采用FD-SOI工艺功耗可降低九成

　　对半导体制造商和设备供应商来说，智能手机和PC市场饱和，无法带动业绩成长，以往生产功能更强芯片的传统做法，预料也难扭转颓势，如今业界采用新技术，像是全耗尽型绝缘上覆矽(FD-SOI)和3D NAND。

　　华尔街日报报导，半导体业面临的业绩压力已经引发整并风潮，最新数据也指出，今年全球半导体设备厂商营收恐怕仅成长1%至369.4亿美元，而芯片营收可能下滑2.4%，利空就是智能手机的成长趋缓，PC市场也正在萎缩。半导体业都在问：下一个成长机会在哪里?

　　如今有许多业者陆续采用新材料与新生产技术来因应市场变化，这些业者看好联网设备需求，但物联网的芯片需求不一样，要求芯片成本控制在1美元以下，并且可运行数年，不需换电池。

　　GlobalFoundries与三星电子已经采用称为FD-SOI的技术，这项技术在耗电与成本上具有优势，仰赖法国厂商Soitec特别量身订制的半导体晶圆。

　　Soitec CEO布德尔说，日本科技大厂Sony近来设计的智能手机GPS芯片便使用FD-SOI技术，结果芯片耗电量只有原本的十分之一，让用户可以更频繁使用卫星定位技术，不必担心会吃掉手机太多电力。

　　有些公司也开始在不生产更小电晶体的情况下，进一步挖掘芯片的潜能，NAND快闪存储器厂商已经以3D NAND的方式，透过堆叠多层电路来提升效能。这项技术需要采购许多生产设备，因此令许多厂商受惠，应用材料便是其中之一。

　　有关FD-SOI

　　全耗尽型绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insular，FD-SOI)是FinFET与Tri-Gate的互补技术，被视为是可望在物联网与汽车市场取代FinFET的理想替代方案，其特色为功耗低、性能和成本效益较佳。目前支持FD-SOI的晶圆代工厂包括格罗方德以及三星电子。

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