安森美ATPAK封装兼容DPAK，体积还小35% 可用于现代电源设计

安森美ATPAK封装兼容DPAK，体积还小35% 可用于现代电源设计

　　半导体器件技术的不断发展，使现有的应用能够更好地实现，以及推进新的应用。最近的创新从根本上改进了封装技术的方式，特别是有关汽车和针对电源的应用。

　　目前，对于MOSFET封装的事实上的标准是DPAK封装-三引脚表面贴装器件，有大量贴装标签以提供最佳的热传导和物理优势。小型和方便的卷带封装形式非常受欢迎，尤其在自动化制造环境中。

　　尽管DPAK的普及，但也有缺点。当今的超薄设计中的许多器件都大大低于DPAK封装的2.3mm高度。另外，DPAK采用的非常薄的（~70um）线邦定限制热性能和电气性能，即使在多个邦定并联时。这也限制了现代电源相关设计要求的降低导通电阻(RD SON)的能力。

　　为了解决这些限制，安森美半导体的ATPAK(‘Advanced Thin PAcKage’）已作为新一代封装被推出，用于现代电源设计。ATPAK高度仅1.5mm，占位与DPAK封装，从而缩减35%的尺寸，同时仍向后兼容现有的DPAK封装设计。

　　ATPAK以新的铜夹取代DPAK封装的线邦定，有利于降低封装的热阻，和实现电源设计中更高的密度。铜夹的本质上更大的横截面积减小导通电阻，提高能效，降低功耗和发热以及增加电流承载能力到以前仅D2PAK才能达到的100A，而D2PAK的尺寸比ATPAK大约7倍。

　　安森美半导体进行了基准测试，以比较DPAK封装与新的ATPAK封装的热性能。结果表明，ATPAK所用的新的夹焊技术带来改善的热性能。此外，ATPAK散热能力优于DPAK-尽管少35%的体积-导致结温降低6.2℃，从而提供更高可靠性。

　　安森美半导体的汽车ATPAK MOSFET方案提供全系列产品用于各种不同的汽车应用。新的N沟道和P沟道器件的最大电流处理能力达120A(ID Max)，导通电阻值(RD SON)低于5毫欧，支持未来在严格要求的应用中的高能效工作。