Intel 14nm等于三星10nm:领先整整三年!
很遗憾,Intel刚刚宣布的8代酷睿处理器依然是14nm工艺,虽然Intel号称有着15%的性能提升。
那么我们不禁要问,Intel的10nm怎么了?
先就本次投资会议,Intel表示,数据中心所用的Xeon高端多核处理器将首批用上下一代制程,也就是10nm。另外在CES上,CEO柯再奇曾证实,搭载10nm芯片笔记本产品会在今年底出货。
这其实不难理解。由于8代酷睿还是下半年上市,局面很可能是对i7/i5/i3进行换代,对用户选购U/Y系列的10nm笔记本芯片以及大客户的Xeon不造成冲击。
同时,Intel再次对手的10nm做“看扁”,毫不掩饰对自家14nm优秀的自豪。

根据Intel的PPT,就逻辑单元这一核心指标来看,它们2014年研发出来的第一代14nm FinFET(即Broadwell所用)和去年三星/台积电的10nm看齐,也就是Intel 14nm=三星10nm,Intel领先了整整三年。

按照IEEE Spectrum上Intel高级院士Mark Bohr的说法,Intel 10nm的栅极间距是54nm,也是同时代10nm最强。
传言,Intel 10nm Cannon Lake的性能提升在50%以上。
综上,Intel的10nm今年底会有成片登陆市场,在工艺指标上其实就相当于对手的7nm了。
关注电子行业精彩资讯,关注华强资讯官方微信,精华内容抢鲜读,还有机会获赠全年杂志
关注方法:添加好友→搜索“华强微电子”→关注
或微信“扫一扫”二维码

- •搭载罗姆EcoGaN Power Stage IC的小型高效AC适配器被全球电竞品牌MSI采用!2025-11-06
- •荷兰安世炸裂声明:张学政未复职,断供中国工厂晶圆!2025-11-06
- •大联大品佳集团推出基于达发科技产品的头戴式蓝牙耳机方案2025-11-06
- •安森美已完成获得奥拉半导体Vcore电源技术授权2025-11-05
- •ROHM开发出搭载VCSEL的高速高精度接近传感器“RPR-0730”2025-11-05
- •全球半导体产业再现强劲增长!2025-11-04
- •中方:安世半导体,荷方应承担全部责任!2025-11-04
- •汽车电气架构升级,安森美如何推动区域控制架构进化2025-11-04
- •安森美公布2025年第三季度业绩2025-11-04
- •大联大世平集团推出基于NXP产品的AI胶囊咖啡机方案2025-11-04






