英飞凌科锐交易告吹 化合物半导体战略意义重大

　　2月16日，全球LED照明巨头Cree正式发布声明称将终止Wolfspeed电源和RF部门出售案件。缘由是美国审查主管机关(CFIUS)认为此项并购案将构成美国国家安全风险，科锐(Cree)和英飞凌(Infineon)无法确定解决CFIUS关注的国家安全问题的替代方案，因此，拟议的交易将被终止。

　　此项收购案起于2016年7月14日，德国芯片厂商英飞凌(Infineon)宣布，将以8.5亿美元的现金从美国LED大厂科锐公司(Cree)手中收购其Wolfspeed Power&RF部门。此项收购最初来源于双方意向高度契合。英飞凌看重Wolfspeed碳化硅技术。Woolfspeed是SiC功率及GaN-on-SiC射频功率解决方案的主要供应商，其核心能力包括SiC晶圆基板制造以及射频功率应用的SiC单晶氮化镓层。英飞凌认为其生产的SiC芯片在未来将逐渐取代传统芯片，尤其是电动和混合动力汽车。而科锐2015年9月宣布公司欲进一步专注于LED照明领域，分拆旗WolfspeedPower&RF 部门，更名为“Wolfspeed”(疾狼)公司，并计划单独上市。Cree方面又宣布上市计划推迟，后经过慎重的考虑及多方调查，Cree最终决定将Wolfspeed卖给Infineon。

　　与英飞凌的此次交易终止将触发向Cree支付的终止费用1，250万美元。由于交易终止和Cree决定专注于运行Wolfspeed业务，Wolfspeed成为Cree持续运营的一个独立部分。

　　此次并购的主角与其说是Infineon和Cree，不如说是化合物半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术。虽然Cree、Infineon并未说明美国政府为何会对这项交易持保留意见，但由于Wolfspeed生产的产品有具军事用途的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，所以很可能是美国政府认定此案有威胁到其国防安全的可能。

　　这次并购案的失败说明了化合物半导体材料于这些大国的战略意义。为了保护国防工业安全，不管收购方是任何外国厂商，美国都会谨慎考虑。由此也可以看出化合物半导体未来前景可观。

　　化合物半导体进化史

　　以硅材料为代表的第一代半导体材料的发展是从20世纪50年代开始的，目前硅材料仍是电子信息产业最为主要的半导体器件材料，三十硅材料带隙(禁带)较窄和击穿电场较低等物理属性的特点限制了其在光电领域和高频高功率器件方面的应用。

　　20世纪90年代以来，随着无线通信的飞速发展和以光纤通信为基础的信息高速与互联网的兴起，以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为代表的第二代半导体材料开始崭露头角，进入化合物半导体时代。化合物半导体是区别于硅(Si)和锗(Ge)等传统单质的一类半导体材料，主要包括砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)等。相对于硅材料，化合物半导体性能更加优异，制作出的器件相对于硅器件具有更优异的光电性能、高速、高频、大功率、耐高温和高辐射等特征。故GaAs出现后几乎垄断了手机制造中所有的功放器件市场。

　　第三代半导体材料市场的兴起原因始于两个契机。第一，特殊场合要求半导体能够在高温、强辐射、大功率等环境下依然坚挺，第一、二代半导体材料便无能为力。第二，半导体材料在生产中的主要污染物有GaAs、Ga3+、In3+等，人们试图找寻一种既能满足产品需求，又能不污染环境的新型半导体材料。于是目光投向了有机半导体(在半导体材料中渗入有机材料如C和N)。第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAS)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)，较为成熟的是碳化硅和氮化镓被称为第三代半导体材料的新星，而氧化锌、金刚石、氮化铝的研究尚属起步阶段。

　　现在已知的化合物半导体有600种以上。根据StrategyAnalytic与SEMI的报告指出，凭借着优异的性能特点，化合物半导体市场规模预计将在2020年成长至440亿美元，年复合成长率(CAGR)为12.9%，远优于单晶半导体的成长速度。