南亚科20纳米DDR4产能开出 存储器封测厂福懋科扩产

　　台塑集团旗下存储器封测厂福懋科2018年预计投入逾22亿元(新台币，下同)资本支出，将大举扩建DDR4预烧(burn-in)及芯片封测产能，以因应来自南亚科20纳米DDR4产能开出后，对后段封测产能的强劲需求。由于2018年DRAM市场位元出货量持续增加，特别是南亚科成长幅度大，法人看好福懋科2018年营运表现将明显优于2017年。

　　福懋科2017年前3季合并营收59.79亿元，平均毛利率达15.9%，税后净利达到9.97亿元，较2016年同期成长33.5%，每股净利2.25元。随南亚科20纳米新制程产能在2017年第4季陆续开出，福懋科营收表现也见复苏，法人预估单季合并营收将达19～20亿元之间，优于第3季表现，全年每股净利有机会上看2.8～3.0元之间。福懋科不评论法人预估财务数字。

　　福懋科在日前召开法人说明会中指出，2017年第4季因欧美圣诞节假期及中国农历春节等旺季到来，整体存储器市场热络，需求大于供给。对于2018年整体DRAM市场供需状况仍然健康，主要是三大厂没有大规模扩厂动作。而随着存储器终端应用不断扩大，预期将为前段DRAM晶圆制造厂及后段封测厂均带来持续的位元成长动能，而且DDR4可望成为市场主流，福懋科已锁定争取移动式、消费性、服务器等DRAM封测订单。

　　法人表示，福懋科主要承接同集团的南亚科DRAM后段封测业务，南亚科2017年第3季加快20纳米DRAM制程微缩，当季底月产出量已逾1万片，2017年底月产能将拉高至3.8万片，加上原本采用30纳米的3万片产能，合计月投片量6.8万片。在产品线部份，20纳米4Gb DDR3产品已量产出货，8Gb DDR4产品亦在2017年第4季小量出货。

　　南亚科20纳米在2018年将快速进入量产阶段，预估全年位元销售量可望较2017年大增45%，对福懋科接单明显有利。为了因应南亚科2018年主攻DDR4市场，福懋科将投入逾22亿元扩建DDR4预烧及封测产能，有助于营收及获利重回成长轨道。

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