厦门联芯工艺取得重大突破 28纳米HKMG试产良率达98%

　　继28纳米Poly/SiON制程技术成功量产以来，联芯集成电路制造(厦门)有限公司再次取得了技术发展上的新里程碑。据悉，厦门联芯已于今年2月成功试产采用28纳米High-K/Metal Gate工艺制程的客户产品，试产良率高达98%。

　　目前，联芯能同时提供Poly/SiON和High-K/Metal Gate工艺技术。

　　据介绍，联芯28纳米High-K/Metal Gate工艺制程采用了目前全球最先进的Gate Last制程技术，能大幅减少栅极的漏电量，提升晶体管的性能，可以应用于更多样化的各类电子产品。

　　对此技术突破，联芯首席执行官暨副董事长许志清表示非常开心，并期望未来进一步强化与客户合作，积极推动产品量产。

　　联芯集成电路制造项目位于福建省厦门市翔安区，本工程占地面积约25.5万平方米，总建筑面积约36.8万平方米。项目投资约62亿美元，分两个阶段实施，其中第一阶段建设全部厂房及构建筑物设施，并安装设备形2.5万片/月的生产能力;第二阶段在第一阶段基础上安装设备再形成2.5万片/月的生产能力。项目全部建成后形成12英寸、线宽55-28nm的集成电路芯片共5万片/月的生产能力。

　　可以说，联芯集成电路制造项目是海峡两岸合资建设的第一座12英寸晶圆厂，也是福建省目前投资金额最大的单体项目。联芯于2016年11月正式营运投产，目前公司正全力提速至满载产能。

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