功率半导体晶圆薄化需求爆发 H2营收逐季扬

功率半导体晶圆薄化需求爆发 H2营收逐季扬

　　金氧半场效电晶体(MOSFET)及绝缘闸双极电晶体(IGBT)等功率半导体的应用愈来愈广泛，不仅3C产品、变速马达、LED照明、变频家电等应用多元，电动车及高铁、4G/5G基地台、资料中心等需求也是成长快速。为了有效降低功耗及电力耗损，晶圆薄化关键制程更显重要，升阳半(8028)在IDM厂扩大下单包产能情况下，法人看好营收逐季创新高到年底，下半年旺季可期。

　　近年来MOSFET及IGBT的应用愈来愈广泛，主要是系统厂开始关注到降功耗及节省消耗电力的问题。除了智慧型手机及笔记型电脑等3C产品需要更低耗电，被大量应用在各式电子产品中的变速马达，也导入新一代功率半导体来降低耗电。再者.随着网路高速存取及资料交换等大数据应用成为日常生活不可或缺地位，资料中心、4G/5G基地台等基础建设也大量导入MOSFET及IGBT来提升电力效率。

　　随着MOSFET及IGBT的需求快速增加，升阳半的晶圆薄化技术受到业界重视。事实上，晶圆薄化是半导体制程的中段，升阳半专精于功率半导体的晶圆背面薄化，主要客户包括英飞凌等国际IDM大厂。

　　由于MOSFET及IGBT的制程中晶圆背面薄化是关键制程，升阳半承接不少IDM厂委外代工订单，技术上已可提供8吋晶圆薄化至50微米并进入量产，与一般功率半导体晶圆薄化仍在80～100微米情况相较，升阳半技术明显领先同业。

　　包括MOSFET或IGBT等功率半导体的制程中，薄层金属化及晶圆背面制程步骤十分重要，其中关键制程就是晶圆薄化，因为功率元件的厚度对其效能有很大影响。业者分析，功率元件会出现垂直电流，由前端载入电流后通过至后端，为了达到效能最佳化，功率元件的厚度十分重要，因为多余的厚度都可能造成顺向饱和电压增加，或出现截流损耗等情况，而这两项正好是IGBT是否达到最佳效能的重要指标。

　　升阳半第一季合并营收达4.63亿元，毛利率达31.2%，税后净利0.37亿元，每股净利0.32元，符合市场预期。第二季以来受惠于功率半导体及微机电(MEMS)等需求成长，5月合并营收月增12.9%达1.86亿元，较去年同期成长15.7%，创下单月营收历史新高，下半年营运乐观看待。

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