三星首推EUV工艺DRAM内存，2030有望超越台积电？

三星首推EUV工艺DRAM内存，2030有望超越台积电？

华强电子网消息    三星电子（Samsung Electronics）今天宣布，已经出货100万业界首款10nm EUV级（D1x）DDR4 DRAM模组。并完成全球客户评估，这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。

EUV（极紫外光刻）工艺是目前世界上最先进的芯片制造工艺，EUV光刻机也被认为是完成7nm以下制程的重要途径。而这次三星率先将EUV工艺用到DRAM内存颗粒的生产上，可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤，并进一步提升产能。

三星表示，将从第四代10nm级（D1a）DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV，明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片，预计会使12英寸晶圆的生产率翻番。

虽然目前支持DDR5内存的PC平台还没有出现，不过内存芯片却在各大存储器大厂的推动下逐渐开始接近上市。三星量产的第一代EUV DDR5 DRAM单芯片容量为16Gb（2GB），地点是平泽市的V2线。

除了10nmEUV工艺的存储芯片外，三星也正在推进5nm及以下制程的EUV工艺。外媒报道称，三星已经从半导体设备生产商那里订购了5nm工艺生产的相关设备，目前已经开始在华城V1工厂内建立了一条5nm的晶圆代工生产线。据悉相关的设备组装需要两个多月，按照进度来看，今年6月份以前，三星应该能够安装完所有的设备。

如无意外，三星将在今年年底进行5nm EUV工艺的量产。对比三星的竞争对手台积电，台积电已经宣布将在最早4月份进行5nm EUV工艺的量产，所以三星与台积电之间的差距应该在半年左右。

三星半导体曾公开表示，希望在2030年之前超越台积电，成为全球晶圆半导体业务的领导者。据悉在三星5nm正式量产后，将负责高通下一代5nm旗舰芯片和X60 5G基带芯片的生产。（校对：Hobby）