英诺赛科成功导入ASML光刻机，进一步提升产能和产线良率

英诺赛科成功导入ASML光刻机，进一步提升产能和产线良率

英诺赛科（珠海）科技有限公司为ASML光刻机成功导入8英寸硅基氮化镓量产线举办了庆典。英诺赛科于2021年引入ASML光刻机，凭借着其卓越的成像性能和独特的TWINSCAN架构（双晶圆工件平台），英诺赛科进一步提升了硅基氮化镓功率器件制造的产能及产线良率。此次庆典上，ASML副总裁兼中国区总经理沈波代表ASML被英诺赛科授予“最佳战略合作伙伴”称号。

近年来，相较传统硅材料，氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC) 等第三代半导体，以其更小尺寸、更高转换频率、更高功率密度等特点，逐渐成为了全球半导体产业的新焦点。此新材料可满足节能、减排、智能制造等全球战略需求。氮化镓是“第三代半导体”关键材料之一，具有广阔的市场前景，可渗透到包括消费、工业和汽车类电子应用领域。作为全球领先的8英寸硅基氮化镓芯片制造商（IDM），英诺赛科一直致力于推动第三代半导体制造技术的创新和革命。