IBM（IBM.US）联手三星发布“突破性”芯片设计，可减少85％能耗

IBM（IBM.US）联手三星发布“突破性”芯片设计，可减少85％能耗

12月16日讯，最近，IBM(IBM.US)表示，其与三星合作在半导体设计上取得了“突破”，在旧金山举行的IEDM会议的第一天，这两家公司公布了一种在芯片上垂直堆叠晶体管的新设计，这种设计可以减少85%的能源消耗。

据悉，IBM与韩国三星共同发布“垂直传输场效应晶体管”(VTFET) 芯片设计。与当前的鳍式场效应晶体管(FinFET)相比，VTFET有望带来翻倍的性能，减少85%能耗。IBM和三星声称，该工艺有朝一日可能允许手机在一次充电的情况下使用一整个星期，更加省电，从而减少对环境的影响。

IBM在新闻稿中列出了这项技术带来的潜在好处，包括：开发新的芯片架构，延长手机待机时间至一个多星期，扩展物联网(IoT)应用，减少能源密集型流程的能耗等。