英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增强特性进一步提高系统能效

英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增强特性进一步提高系统能效

5月10日，英飞凌科技股份公司发布了一项全新的CoolSiC^TM技术，即CoolSiC^TM MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅（SiC）芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列，以及采用基于.XT互连技术的分立式封装，具有非常广泛的产品组合。M1H芯片具有很高的灵活性，适用于必须满足峰值电力需求的太阳能系统，如光伏逆变器。同时，这款芯片也是电动汽车快充、储能系统和其他工业应用的理想选择。

CoolSiC技术取得的最新进展使得栅极驱动电压窗口明显增大，从而降低了既定芯片面积下的导通电阻。与此同时，随着栅极运行窗口的扩大，栅极能很好地耐受与驱动器和布局相关的电压峰值，即使在更高开关频率下亦不受任何限制。除了M1H芯片技术，还可通过采用不同封装使不同型号的产品实现更高功率密度，为设计工程师提供更多选择，助力其提升应用性能。

Easy模块可实现更高的功率密度

M1H将被集成到备受青睐的Easy系列中，以进一步优化Easy 1B和2B模块。此外，英飞凌还将推出一款新产品，利用全新的1200 V CoolSiC^TM MOSFET技术和增强Easy 3B模块。新芯片尺寸的推出最大限度地提高了灵活性，适用于广泛的工业产品组合。采用M1H芯片，可显著降低模块的导通电阻，让设备更加可靠和高效。

CoolSiC^TM MOSFET 1200V Easy 3B

此外，M1H芯片的最高结温为175°C，具备更出色的过载能力，可实现更高的功率密度，同时扩展了系统安全工作区。与其前身M1芯片相比，M1H芯片实现了更低的内部栅极电阻（RG），这有利于轻松优化开关特性。M1H芯片保持了其动态特性。

具备超低导通电阻的分立式封装

除了集成Easy模块系列之外，CoolSiC^TM MOSFET 1200 V M1H产品组合还采用了TO247-3和TO247-4分立式封装，导通电阻值极低，根据不同的型号分为7 mΩ、14 mΩ和20 mΩ。这些新器件的最大栅源电压低至-10 V，改善了栅极电压过冲和下冲，并且实现了良好的抗雪崩击穿能力和短路耐受能力，可以轻松用于产品设计。

CoolSiC? MOSFET 1200V TO247-3和TO247-4

以前在D2PAK-7L封装中引入的英飞凌.XT互连技术，现在也可在TO封装中实现。较之标准互连技术，其散热能力提高了30%以上。这样的散热性能提升带来了极大的裨益，可以将输出功率提高多达15%。另外，它还能提高开关频率，进一步减少诸如电动汽车（EV）充电、储能或光伏系统等应用中所需的无源器件，从而提高功率密度并降低系统成本。.XT互连技术可降低SiC MOSFET结温，而不改变系统运行条件，因此大大延长了系统的使用寿命，提高了功率循环能力。这也是伺服驱动器等设备的关键要求。

新推出的1200 V CoolSiC^TM MOSFET M1H芯片将进一步释放SiC技术的应用潜力，在全球范围内推动清洁能源的开发利用，并提高能源效率。