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晶体管技术取得突破 单PN结的新型基础电子器件诞生
众所周知，晶体管要分成多种类型。其中，MOSFET作为基础器件由于其优越性能得到了广泛的应用。但是目前使用的场效应管存在两个被学术界称为PN结的结构。正常工作时源极和衬底间的PN结始终处于正向导通状态，所以在一般情况下，场效应管的源极和衬底是连
2013-10-29 09:44
众所周知，晶体管要分成多种类型。其中，MOSFET作为基础器件由于其优越性能得到了广泛的应用。但是目前使用的场效应管存在两个被学术界称为PN结的结构。正常工作时源极和衬底间的PN结始终处于正向导通状态，所以在一般情况下，场效应管的源极和衬底是连
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