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  • 特斯拉公司因“夸大电池性能”面临韩国监管机构处罚

    据路透社,韩国公平交易委员会(KFTC)的一名官员2月15日表示,韩国反垄断监管机构正在对美国电动车制造商特斯拉TSLA.O展开调查,因其涉嫌夸大电池参数。韩联社2月14日报道,KFTC已将一份报告发给特斯拉,报告称特斯拉公司夸大了包括Mode

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    2022-02-16 10:10
  • 达摩院突破冯·诺依曼架构性能瓶颈,新型AI芯片性能提升10倍

    12月3日消息,达摩院成功研发新型架构芯片。该芯片是全球首款基于DRAM的3D键合堆叠存算一体AI芯片,可突破冯·诺依曼架构的性能瓶颈,满足人工智能等场景对高带宽、高容量内存和极致算力的需求。在特定AI场景中,该芯片性能提升10倍以上,能效比提

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    2021-12-06 10:48
  • 荣耀50 Pro性能专项评测:硬件堆料or实际体验?荣耀忠于后者

    日前,荣耀正式发布了他们的数字系列的最新力作,荣耀50系列,其中包括荣耀50SE,荣耀50以及荣耀50Pro,这三款手机分别有他们各自的特色与卖点。但是今天这次评测的角儿则是落在了这个荣耀50系列上最为全能的荣耀50Pro上。那么这台推崇用户体

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    2021-06-25 14:12
  • Cadence推出全新DSP系列,为广泛的计算密集型应用提供可扩展性能

    楷登电子(美国Cadence公司)今日发布CadenceaTensilicaaFloatingPointDSP系列。该系列专为浮点计算设计提供了一个可扩展和可配置的解决方案。新的DSPIP内核针对功耗、性能和面积(PPA)进行了优化,适用于小型

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    2021-06-18 10:56
  • MVG Performance系列EL/AZ重型定位器为天线测量提供性能和精确定位支持

    MVG近日宣布推出Performance系列EL/AZ重型定位器,适用于重型被测设备。该定位器代表了最新一代的多轴旋转定位子系统,相对于尺寸提供增强的功能和改进的性能,并融合了全新的工程技术。这些流线型定位器的精准度有助于提高天线测量的精准度。

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    2020-11-25 14:26
  • 安谋中国“周易”Z2 AIPU正式发布,性能翻倍、效率翻番

    安谋科技(中国)有限公司(“安谋中国”)今天正式发布“周易”Z2AIPU(AIProcessingUnit),单核算力最高可达4TOPS,较“周易”Z1AIPU的单核算力提高一倍,同时支持多达32核的可扩展配置,从而能够在单个SoC中实现128

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    2020-10-14 14:27
  • 压力感应成TWS“真香”配置 极致性能与高性价比“何者为王”?

    尽管全球智能设备市场增速受疫情影响正不断减缓,但TWS耳机却成为了当中的一股清流,出货量呈现长期不降反增的态势。据市场数据显示,2020年一季度全球TWS耳机出货量同比增速超过100%,其中2020年3月单月全球TWS耳机品牌出货量前20名的合

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    2020-08-03 10:03
  • 英飞凌650 V CoolSiC MOSFET系列为更多应用带来最佳可靠性和性能水平

    英飞凌科技股份公司进一步扩展其碳化硅(SiC)产品组合,推出650V器件。其全新发布的CoolSiC?MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源(UPS)、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大

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    2020-02-26 10:26
  • 性能虽好功耗却高!三星放弃自研CPU核心

    11月3日,据MSPoweruser报道,三星已经放弃了自研CPU核心,未来将完全转向ARM公版架构。另外,据三星提交给美国的德克萨斯州劳动委员会的文件显示,三星将关闭奥斯汀半导体工厂研发部门,并辞退相关员工大约290名,裁员将于12月31日正

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    2019-11-04 10:50
  • 阿里云发布第三代神龙架构,性能再升级,激发100%计算潜能

    时至今日,已经没有人怀疑云计算是最主流的企业IT基础设施之一。在2019年杭州云栖大会上,阿里云正式发布了第三代自研神龙架构。据悉,第三代神龙架构支持ECS虚拟机、裸金属、云原生容器等,贯穿整个IaaS计算平台,并在IOPS、PPS等方面提升5

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    2019-09-27 09:27
  • 性能全球第一!阿里平头哥发布AI芯片含光800

    今天的杭州阿里云栖大会上,阿里巴巴旗下平头哥半导体公司正式发布了阿里巴巴首款正式流片的芯片——含光800,这是一颗云端AI芯片,主要应用于云端视觉处理场景,打破了现有最强AI芯片的记录,性能以及能效比都成为全球第一。据官方数据显示,在业界标准的

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    2019-09-25 18:06
  • Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内最佳水平

    日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出最新第四代600VE系列功率MOSFET器件。VishaySiliconixn沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600VE系列MOSFET低27%,为通信、工业和企业级

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    2019-01-28 13:47

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