-
DRAM酝酿强劲反弹 应对下半年旺季 现货市场客户猛包产能现阶段DRAM价格相对
近来全球DRAM现货价与合约价仍处相对低档位置,不过对于部份DRAM现货市场客户而言,由于下半年多数DRAM厂及分析师均预期DRAM将进入强劲反弹阶段,因此DRAM现货市场客户为避免届时无货可卖,已有
-
DRAM原厂颗粒跟进起涨 价格正式落底
3月30日DRAM现货价出现难得一见的「飙涨」状态,原厂DRAM颗粒约有8%左右的涨幅,至于有效测试颗粒(eTT)的售价则上涨约2%,而DRAM厂商认为,DRAM原厂DRAM颗粒与eTT颗粒同步走扬,
-
DRAM价格 第二季下旬可获支撑
美林证券最新研究报告指出,虽然DRAM价格仍因南韩厂商(三星电子、Hynix)将产能转至DRAM而持续下滑,惟预期价格可望在第二季下旬出现支撑。调查显示,第二线DRAM厂商的现金成本约在二.五美元至三
-
存储行情天天谈——4月2日
DXI为3,403.79,上漲27.59(0.82%)台湾市场:今日的DRAM市场,市场需求稍微转弱,但整体价格持续呈现稳定,多数买家仍抱持着观望的态度,成交亦不明显。512Mb(64M*8)667/
-
三月份NAND芯片价格恢复上扬
根据DRAMeXchange的数据显示,今(2007)年三月份4、8、16与32-GbyteSLC(single-levelcell)NAND闪存芯片的合约价格上扬4%至7%,这也是今年度第二次价位上
-
贸易商低档收货 DRAM现货价止跌反弹
DRAM现货价止跌反弹,DDR2512Mb667MHz主流品牌颗粒价格上涨2.75%,DDR2512MbETT更大涨9.24%。集邦科技表示,主要是因为贸易商趁低档收货。而台湾DRAM业者则保守认为,
-
现货价反弹 DRAM吐闷气
DRAM价今年来跌幅逾5成,随下半年将进入旺季,昨引发市场回补需求,带动512MbDDR2eTT大涨3.75%,中午再涨2%,行情止跌弹升,DRAM股茂德(5387)、力晶(5346)今应声带量走扬,
-
库存回补 DDRII现货大涨
有效测试(eTT/uTT)动态随机存取内存(DRAM)现货价昨(30)日止跌弹升,512MDDRII现货价大涨9.24%,颗粒均价回到2.84美元。明显的弹幅是否代表DRAM春天不远?台内DRAM业者
-
大陆抢补库存 DDR2涨价近12%
DRAM价格昨(三十)日出现大涨走势,有效测试(eTT)颗粒涨幅逼近一二%,原厂颗粒(Original)价格也出现五%至七%涨幅,不过DRAM通路商表示,由于DRAM价格已跌入DRAM厂的成本区间,在
-
存储行情天天谈——3月30日
DXI为3,376.20,下跌47.58(1.43%)台湾市场:今日的DRAM市场,受到UTT(ETT)DDR264M*8/667MHz的影响,主流品牌价格也急拉直涨,但由于月底关仓盘点,到了下午需求
-
存储行情天天谈——3月29日
DXI为3,328.62,下跌4.93(0.15%)台湾市场:今日的DRAM市场,市场状态呈现较为积极,需求量明显急增,整体价格也止跌回稳,交易量亦较为放大。512Mb(64M*8)667/533MH
-
去年第四季中小型面板平均售价为9.25美元
根据DisplaySearch发布的报告,去(2006)年第四季中小型面板产品的平均售价为9.25美元,比第三季下跌13%,比前一年度同期下跌25%。手机应用占有出货量的大部分,并且严重影响了整体平均
-
反应上游货源不足 NAND Flash合约价往上调整
根据DRAMeXchange上周所公布的NANDFlash最新合约价信息,MLC4Gb、8Gb、16Gb、32Gb四种容量的合约价格都往上调整,调涨幅度在4至7%之间。而SLC部分,多数容量的价格均维
-
DDR3内存样品接连面世 将成未来主流(上)
奇梦达和美光抢先三星推出DDR3内存“半导体透视(SI)”公司日前披露,内存生厂商奇梦达和美光科技先于三星电子已经开始交付DDR3内存样品,全球内存“老大”三星电子在DDR3方面处于落后地位。美光科技
-
陈民良:DRAM价下季落底
茂德(5387)今举行记者会,对于今年DRAM的景气,董事长陈民良表示,上半年的需求不佳,预计价格在第二季落底,下半年则新应用带动的需求刺激下,看法较为乐观,而茂德今年因为大举转入70奈米制程技术生产
-
存储行情天天谈——3月28日
DXI为3,340.47,下跌8.00(0.24%)台湾市场:今日的DRAM市场,市场需求依旧停滞,价格仍呈现缓缓下跌,成交量亦不理想。512Mb(64M*8)667/533MHz主流品牌颗粒价格报价
-
NAND闪存供给吃紧 四月份合约价格将提高
据中国台湾地区记忆体厂商透露的消息称,近日三星和海力士半导体(HynixSemiconductor)的通告,称四月份NAND闪存价格将会进一步上调。据称,除了受NAND闪存近日需求旺盛的影响外,东芝近
-
三星论坛:NAND上半年企稳,下半年大缺货 半导体社长黄昌圭:第二季价格仍有下跌
南韩三星今在台举行第四届行动通讯论坛,该公司半导体社长黄昌圭指出,相当看好今年NANDFlash记忆体的走势,预估下半年需求力道非常强劲,呈现非常短缺的状态,而DRAM也因为Vista与多媒体等应用带
-
iSuppli预料NAND快闪记忆体晶片价格下滑速度放慢
美国研究公司iSuppli称,NAND快闪记忆体(闪存)晶片价格料将以较缓慢的速度下滑,因供应成长趋于紧俏,且电子业者需求增加.ISuppli把NAND快闪记忆体短期市况的评等从"负面"调高为"中性"