晶圆台积电忙抢人才迎战三星

    台积电2010年大兴土木，除中科晶圆十五厂(Fab15)动土，LED厂预计2010年底前设备进厂，薄膜太阳能厂亦即将动工，在产能不断提高下，亟需培养人才，2010年初增聘3,000人，另外有2,000个派遣职缺将于10月前全数转为正职，6月初宣布再征求3,000人，总计全年新增8,000人。

    半导体业者指出，其实近年来电子业征才普遍不易，尤其具备半导体制程能力的人才欠缺，主要系因大环境资源分配多倾向培养designhouse人才，使得拥有制程能力人才数量越来越少。此外，尽管政府有研发替代役名额，然2010年仅有80个名额，为此台积电已率先启动预聘制度，在大学毕业前就先给予正式聘雇书，亦即大学生可提前20个月拿到聘书，待服完兵役再前往台积电报到就业。

    事实上，不论外在经济如何变化，台积电都给予预聘人才工作机会保障，2010年预聘名额达300~400人，往年报到率超过8成。台积电研发组织资深副总蒋尚义指出，2010年台积电拥有200多亿元研发经费，希望优秀人才加入台积电。为对抗三星与全球晶圆来势汹汹，台积电将原本已退休的蒋尚义延揽回锅掌研发兵符，全力在2x奈米以下先进制程抢先竞争对手，并拉开差距。

    台积电奈米制像技术发展处资深处长林本坚指出，目前台积电在20奈米制程采用浸润式微影及双重曝光(double-patterning)技术，在2x奈米以下，台积电则采取深紫外光(EUV)与无光罩电子束(e-beam)技术同步并进，日前已采用Mapper多重电子束技术，成功试产20奈米DRAM芯片，由于电子束相较于EUV不用光罩，大幅降低成本。

    另外，台积在新竹晶圆十二厂(Fab12)亦有1台ASML的EUV机台，正进行研发中。台积电指出，在两种技术上齐头并进，希望未来能让客户不论是采用哪里种技术，都不需要担心，能放心将设计交给台积电进行生产制造。