中芯国际采用概伦电子NanoYield™高良率解决方案

      2013年5月15日，概伦电子科技有限公司宣布中芯国际集成电路制造有限公司已在其先进工艺制程开发流程中采用概伦电子NanoYieldTM高良率（High Sigma）解决方案。

     概伦电子作为SPICE模型解决方案的全球领导厂商及业界领先的良率导向设计（DFY）技术供应商，于2012年推出NanoYield—专为存储器、逻辑和模拟电路设计所研发的快速而精准的良率预测和优化软件。

      静态随机存取存储器（SRAM）的良率受局部工艺漂移所限制，这种情况在先进工艺制程、在28纳米及以下的工艺节点上尤为突出。在传统的工艺开发中，工程师需要同时运行多个不同的工艺批次，然后对结果加以分析来判断工艺漂移对SRAM良率的影响，在耗费时间的同时也增加了开发成本。在IBM授权技术基础上改进和开发且通过硅认证的NanoYield高良率分析技术（HS-Pro），可以成几个数量级地缩短传统蒙特卡罗(Monte Carlo)用于高良率（High Sigma）分析的仿真时间。通过运行一系列代表不同工艺改进的计算机仿真，工程师可以利用NanoYield高良率分析技术在工艺制程开发的早期对SRAM良率进行高达6s的快速预测和验证，帮助半导体代工厂在先进工艺开发过程中更好地控制成本，加快上市的进程，同时为其客户提供更好的产品良率。

    中芯国际与概伦电子在先进SPICE建模领域已合作多年，双方已建立长期的战略合作关系，本次合作将延伸到面向良率提升的工艺制程技术研发和设计流程改进等。在此次合作中，中芯国际采用NanoYield对28纳米、20纳米及以下工艺节点的先进工艺制程开发中的SRAM进行优化。“NanoYield已成为我们工艺制程开发流程中的重要组成部分。”中芯国际技术研发执行副总裁李序武博士表示，“NanoYield可以帮助我们改进工艺，减少实现良率目标所需的时间。” 

     “中芯国际是我们最有价值的合作伙伴之一”，概伦电子董事长兼总裁刘志宏博士表示，“通过双方的紧密合作，中芯国际28纳米工艺制程的开发已采用NanoYield高良率解决方案进行SRAM良率的优化。早期的SRAM良率的验证可以增强客户和IP合作伙伴的信心，从而加快产能提升的步伐。”