东芝与闪迪联手组建新存储器工厂

       目前，东芝通过与闪迪的合资公司生产NAND型闪存。新工厂将在合资公司运营的日本三重县四日市市的厂区内建设。东芝与闪迪各出资50%，东芝将承担2千亿日元（约合人民币126亿元）左右。目前的产能按直径300毫米的晶圆计算，估计每月为45万片，而新工厂投产后产能每月可增加10万余片。

       在日本的半导体业界，瑞萨电子决定关闭系统LSI（大规模集成电路）的最尖端工厂。尔必达存储器则打算在美国大型半导体厂商美光科技旗下实现重建。

         在日本同行业不断萎缩的背景下，东芝在NAND型闪存的全球份额方面却仅次于三星屈居第二。据美国环球透视公司(IHS Global)调查，2012年按供货量计算，三星的份额为37%，东芝为31%。东芝希望通过大规模投资来缩小与三星的差距。

        东芝计划利用新工厂的生产线量产线宽在16～17纳米的产品，而目前的产品线宽为19纳米。通过缩小线宽，可增加每片硅晶圆生产的半导体个数、提高生产效率，从而在价格竞争方面与超过三星。

       另一方面，预计三星也最早将于2014年量产把几个芯片重叠在一起的尖端产品。由于三星和东芝分别投入最新技术，推进半导体的小型化和生产的高效化，因此，今后半导体竞争将进入新的阶段。

        受08年雷曼危机影响，NAND型闪存需求曾大幅下滑，价格与个人电脑用的DRAM同时下跌。东芝去年夏季决定减产3成。不过，眼下得益于智能手机和平板终端的普及，行情开始复苏。东芝方面，来自美国苹果和中国企业的订单增多。再加上日元趋于贬值，从今年春季开始东芝的工厂一直处于满负荷开工状态。

       因此，东芝决定投资200亿～300亿日元（约合人民币12.6～18.9元），在四日市工厂的现有厂房内新增生产设备。东芝认为从中期来看市场将继续增长，因此决定实施投资。东芝打算在2015年度之前分阶段进行投资，如果行情出现恶化则将延长投资期限。