FinFET点燃晶圆代工厂战火 主流厂商加速导入

FinFET点燃晶圆代工厂战火 主流厂商加速导入

　　
　　复杂架构掀波澜FinFET引发产业连锁反应
　　
　　比较不同厂商的FinFET技术时，须考虑下列因素，首先是安谋国际(ARM)核心的晶片尺寸、静态随机存取记忆体(SRAM)的晶粒大小(CellSize)、设计规则、单元资料库内轨道的数量、速度及电力消耗。
　　
　　无论顶尖IC设计业者采用何种FinFET技术制造行动应用处理器，都会在晶片效能与耗能方面有所进展，因为平面技术几乎已达到极限，而且，一旦某家大型IC设计公司决定采用某种先进技术，便可能会带动连锁反应，促使其他同业加紧导入同款制程技术。
　　
　　举例来说，高通(Qualcomm)决定采用28奈米多晶矽氮氧化矽(SiON)技术时，其他IC设计公司也一窝蜂跟进，让28奈米低耗能制程变成极受欢迎的技术节点。
　　
　　不过，目前市场上尚无IC设计业者正式宣布将以FinFET技术生产应用处理器的计划，但相关研发作业正密切进行中，预估1年内就会有大厂根据FinFET技术推出新款行动应用处理器。以下几家晶片大厂的技术与产品发展蓝图将显著影响其他IC设计业者。