FinFET点燃晶圆代工厂战火 主流厂商加速导入

FinFET点燃晶圆代工厂战火 主流厂商加速导入

　　
　　量产难度高FinFET触发设计新商机
　　
　　尽管业界一致看好FinFET带来的效益，但要支援FinFET技术，无论在制程、设计、IP与电子设计自动化(EDA)工具各方面都有众多挑战，且过去许多2D平面技术的经验不再适用于FinFET，这意谓着相关供应链业者必须有新的投资计划。
　　
　　从晶圆制程的观点来看，不论是晶圆前段制程或后段制程都须达到原子级的准确蚀刻(Etching)，且要提升临界尺度(CriticalDimension)控制、减少矽材的蚀刻损伤、增加化学机械研磨(CMP)及双重曝光(DoublePatterning)微影技术。另一大挑战是必须加入中段制程(MOL)模组，以处理3D电晶体高深宽比(High-aspectRatio)的讯号绕线(SignalRouting)。
　　
　　从设计面来看，其他挑战还包括3D建模工具的需求、能处理FinFET的模拟方法、寄生电容与寄生电阻的处理、新的可制性设计(DFM)模型与规则、单一宽度电晶体的设计、电晶体种类减少、电压降低的处理，以及布局依赖(Layout-dependent)的设计，势将带动新一波半导体产业投资研发动能，做大市场大饼。
　　
　　无庸置疑，FinFET技术将在未来10年带动半导体业成长。由于智慧型手机与平板相关的半导体营收已超过PC，FinFET技术对行动产品也会日益重要。虽然FinFET会为晶圆制程技术与设计方法带来极大变化，对晶圆厂、行动应用处理器设计公司、特殊应用IC设计服务商、电子设计自动化业者与IP供应商而言，移转至FinFET技术的相关实作与支援都是未来带动营收成长的关键所在。
　　
　　利用FinFET技术提高逻辑SoC效能的时代已经来临，而FinFET低耗电的优点，也促使主攻应用处理器的各大IC设计业者要求晶圆厂具备相关技术。为缩短与英特尔之间的技术差距，晶圆代工业者皆已加速研发FinFET技术，但路途仍满布荆棘。IC设计公司应拟定策略以发展FinFET设计能力，同时留意晶圆代工业者投入FinFET技术的状况，以及竞争对手在相关产品的规画。