FinFET点燃晶圆代工厂战火 主流厂商加速导入
来源:华强电子网 作者:—— 时间:2013-09-30 08:45
高通将驱动FinFET规格统一
至于目前的行动处理器一哥高通则将成为主导先进制程导入的关键。目前,Snapdragon200到800系列是高通最新推出的应用处理器,全部采用台积电28奈米高效能行动(HPM)制程技术,与前一代以28奈米低耗能制程生产的SnapdragonS4晶片相比,效能可望提升75%。下一阶段,晶圆代工厂提供的20奈米平面技术由于制程范围不足,因此仅有一般版本,无法提供高效能与低耗电等其他选项。
从缩短新款晶片上市所需时间的观点来看,虽然高通持续移转至20奈米节点的做法对产品效能提升有限,但高通将会成为采用晶圆代工厂20奈米平面技术的首批顾客之一。至于FinFET应该会成为一种长期技术,未来产品都为以它为基础进行设计,而高通终将大量采用FinFET技术,以其在市场上的重要地位,对晶圆代工业者的技术研发具有极大影响力。
不像苹果和三星生产晶片仅供内部使用,高通的晶片广为苹果、三星、诺基亚(Nokia)、BlackBerry、宏达电、乐金(LG)、中兴及华为等业者所采用。高通晶片涵盖各种应用,包括Snapdragon应用处理器、基频处理器、收发器与无线连网Combo晶片,且已与主要晶圆代工厂建立良好的业务关系,带来庞大的晶圆需求量,使其对晶圆厂极具影响力,通常愿意调整制程以迎合高通的需求。
正如前文所述,2012年即为高通带动整个业界采用28奈米低耗能技术,未来,Gartner也预测,高通将带动业界广为采用FinFET技术,并促进晶圆厂全面统一FinFET技术规格,以加速晶片量产并控制成本。
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