FinFET工艺之后 晶体管技术何去何从?
来源:华强电子网 作者:—— 时间:2014-02-27 09:27
延伸FinFET工艺
在2014年英特尔预计将推出基于14nm工艺的第二代FinFET技术。同样在今年,格罗方德,台积电和三星也分别有计划推出他们的14nm级的第一代FinFET技术。
intel公司也正分别开发10nm的FinFET技术,然而现在的问题是产业如何延伸FinFET工艺?对于FinFET技术,IMEC的工艺技术高级副总裁,AnSteegen说,在10nm到7nm节点时栅极已经丧失沟道的控制能力。Steegen说,理想的方案是我们可以把一个单一的FinFET最大限度地降到宽度为5nm和栅极长度为10nm。
所以到7nm时,业界必须考虑一种新的技术选择。根据不同产品的路线图及行业高管的见解,主要方法是采用高迁移率或者III-V族的FinFET结构。应用材料公司蚀刻技术部的副总裁BradleyHoward说,从目前的态势,在7nm节点时III-V族沟道材料可能会插入。
在今天的硅基的FinFET结构中在7nm时电子迁移率会退化。由于锗(Ge)和III-V元素材料具有较高的电子传输能力,允许更快的开关速度。据专家说,第一个III-V族的FinFET结构可能由在pFET中的Ge组成。然后,下一代的III-V族的FinFET可能由锗构成pFET或者铟镓砷化物(InGaAs)组成NFET。
高迁移率的FinFET也面临一些挑战,包括需要具有集成不同的材料和结构的能力。为了帮助解决部分问题,行业正在开发一种硅鳍的替换工艺。这取决于你的目标,但是III-V族的FinFET将最有可能用来替代鳍的技术,Howard说。基本上,你做的是替代鳍。你要把硅鳍的周围用氧化物包围起来。这样基本上是把硅空出来用III-V族元素来替代。
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