骁龙背后的“秘密武器” 高通四代Gobi技术解读

骁龙背后的“秘密武器” 高通四代Gobi技术解读

　　高集成化创新积极推进4G LTE发展

　　很快，高通第三代调制解调器于2012年送样、2013年正式商用。经过了2012年智能手机的快速普及与3G网络的快速布建，2013年，3G智能手机产业格局趋向成熟，而功能机逐渐淡出欧美及中国市场，开始转向第三世界。此时，4G LTE的趋势也已明晰，国内外芯片大厂开始布局4G LTE芯片。

　　从产业布局来看，截至2013年上半年，全球已部署202个LTE网络，有440多家运营商投入LTE，1064款LTE终端和111家LTE供应商，还有1.1亿的LTE/3G多模连接的用户。

　　就在竞争对手开始布局4G LTE芯片之际，高通Gobi第三代调制解调器MDM9x25横空出世，包括MDM8225?、MDM9225?和MDM9625?三个芯片组，工艺跟第二代相同，采用28纳米制造工艺，在性能和功耗方面均有显著提升，除了同时支持LTE增强型（LTE版本10）和HSPA+版本10（包括84 Mbps的双载波HSDPA），还向后兼容其它标准，包括EV-DO增强型、TD-SCDMA和GSM。

　　第三代高通MDM9x25芯片组是首批支持LTE载波聚合技术的真正LTE Category 4的芯片组，数据传输速率高达150 Mbps，这一代产品迅速集成于骁龙800/600/400系列处理器中。在终端应用中，三星Galaxy S4 LTE-A、三星Galaxy Note 3、索尼Xperia Z Ultra XL39h、宏碁Liquid S2、小米3等均是骁龙800的追捧者。而针对中低端大众市场的骁龙400系列MSM8930处理器也集成了MDM9x25调制解调器，MSM8930也是世界上首款集成LTE调制解调器、针对大众市场LTE智能手机的单芯片解决方案。

　　可以说，在第二代“集成化”的基础上，“高度集成化”是第三代Gobi LTE芯片的重要特点。2013年，3G开始朝着4G LTE商转，伴随中国大陆、北美、亚太市场积极推动4G LTE布建，以及台湾地区4G牌照启动，4G LTE芯片竞争加剧，高度集成化必定使企业在竞争中保持领先优势。

　　高通第三代“高集成度”调制解调器芯片此时发布，是胸有成竹的顺势而为。

　　经历了前三代Gobi技术的积淀，高通Gobi目前已经发布了第四代LTE调制解调器9x35，以及针对汽车应用的MDM9x30调制解调器解决方案，这些3G/LTE多模解决方案将于明年初出样，并会被高通最新的处理器芯片骁龙805、808和810集成进去。

　　跟前三代Gobi芯片组相比，Gobi 9x35是采用20纳米工艺的蜂窝调制解调器，功耗更低且占据更小的印刷电路板面积，延续了更紧密集成、更小尺寸和更高性能的趋势。它支持LTE TDD和FDD Category 6网络上最高40MHz的全球载波聚合部署，下载速率最高可达300Mbp。Gobi 9x35支持向后兼容，支持所有其他主要蜂窝技术，包括双载波HSPA（DC-HSPA）、EVDO Rev. B、CDMA 1x、GSM和TD-SCDMA。

　　除此，应用于车载的Gobi 9x30也树立了新的性能和集成度标杆：20纳米工艺、同时支持LTE FDD和TDD 模式、内置的下一代GNSS引擎、与骁龙602A的预集成，以及预集成的QCA 6574，并支持802.11ac、BT 4.1和DSRC。Gobi 9x30基于美国高通技术公司第四代LTE平台，支持下行数据速率最高300 Mbps的LTE Advanced Category 6，能够实现具有更强导航、WiFi热点、信息娱乐内容和远程信息处理服务功能的汽车宽带连接。