东电电子将与新加坡IME合作开发2.5D/3D半导体封装技术

东电电子将与新加坡IME合作开发2.5D/3D半导体封装技术

　　日本东电电子2014年07月24日宣布，该公司与新加坡微电子研究院(IME)将在新加坡设立“Assembly Joint Lab”，共同研发2.5D及3D半导体封装技术。

　　东电电子在2012年成立Tokyo Electron Singapore Pte.Ltd.之后，一直和新加坡IME共同开展尖端蚀刻技术的研究。此次，双方将把合作范围扩大到晶圆级封装技术及组装技术。

　　双方将通过Assembly Joint Lab共同开发用于2.5D及3D半导体的关键技术。具体包括，采用临时粘合剂在常温下进行晶圆接合及剥离的工艺、永久晶圆接合、微细间距CoW(Chip on Wafer)一次性接合、具备高精度定位功能的金属接合技术等。

　　据东电电子介绍，在2.5D及3D半导体方面，“虽然实现了研发层面的试制以及试生产，但要正式量产，还必须解决成本方面的课题”。此次共同研发的目标是，运用新加坡IME的使用TSV(硅通孔)元件技术的评估样品及高端分析技术，在常温临时粘合剥离工艺和低温Cu-Cu混合工艺方面，确立行业标准技术，同时还要大幅降低制造成本。

　　关于微细间距CoW一次性接合与具有高精度定位功能的金属接合技术，双方将共同开发可实现这些接合功能的装置，由此来降低2.5D及3D半导体的制造成本，从而使其能够应用于移动设备等通用产品。

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