东芝研发全球首款48层BiCS(3D堆叠式结构闪存)

来源:互联网 作者:----- 时间:2015-03-31 09:32

  东芝宣布其研发了被称作BiCS的全球首款48层*1 3D堆叠式结构闪存*2,该闪存为每单元容量2位128-gigabit (16G)设备。采用新工艺技术制造的产品样品发货即日启动。

  该BiCS基于最尖端的48层层叠工艺,该工艺提高写入/擦除次数可靠性并提高写入速度,其应用范围广泛,尤其适用于固态硬盘(SSD)。

  自全球首推3D闪存*3技术以来,东芝一直继续致力于优化大批量生产的研发。为满足2016年及以后市场的长足发展需求,东芝将推出主要瞄准大容量应用领域(如SSD)的产品组合,以此积极促进向3D闪存的过渡。

  该公司还在其NAND闪存生产基地——四日市业务部(Yokkaichi Operations)为新晶圆厂(Fab2)的大批量生产做准备。Fab2目前在建,将于2016年上半年完工,以便满足日益增长的闪存需求。

  *1:截至2015年3月26日。东芝调查。

  *2:一种在硅平面垂直方向堆叠闪存存储单元的结构,相比传统NAND闪存(存储单元在硅平面上以平面方向排列),其极大地提高了密度。

  *3:东芝发布会,2007年6月12日。

  

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