DRAM供货吃紧 合约价季涨幅4%起跳

DRAM供货吃紧 合约价季涨幅4%起跳

　　受到三星、SK 海力士、美光等三大DRAM厂持续进行产品组合调整影响，DRAM市场供货转趋吃紧，继6月合约价持平开出后，正在协商中的7月合约价可望顺利调涨。

　　由于部分系统业者无法向三大厂取得足够货源，近期开始转向南亚科及华邦电采购，在第3季DRAM供不应求的预期下，第3季合约价亦顺利调涨3～5%。

　　下半年进入智能型手机销售旺季，由于苹果iPhone 7的搭载容量传出将拉高至3GB，Android阵营高阶智能型手机搭载量也上看6GB，三大DRAM厂第2季开始大动作调整产品组合，将标准型及利基型DRAM产能大举调拨至生产Mobile DRAM，不仅成功大量去化DRAM过剩产能，也让标准型及利基型DRAM供货吃紧，合约价已成功止跌。

　　集邦科技旗下内存储存事业处DRAMeXchange(全球半导体观察)研究协理吴雅婷表示，DRAM合约价经过近2年的续跌，6月合约价已呈现持平，4GB DDR3模块普遍用12.5美元价格议定完成。

　　由于原厂端供货吃紧，一线OEM厂于6月提前与DRAM厂洽谈第3季合约价格，预估第3季DRAM合约价上涨趋势确立，涨幅约达4～8%。

　　吴雅婷表示，今年上半年标准型DRAM需求不振，搭载量受制于Windows 10的授权金制度而无法有效上升，价格逐步往成本贴近，使得韩系DRAM厂在第2季陆续调降标准型DRAM的产品比重。

　　所幸全球智能型手机的内存搭载量今年成长率仍高达36%，下半年旗舰机种搭载量上看6GB，服务器DRAM今年平均搭载量也上看110GB，年成长25%，将有效消化产品比重调整下多出来的产能。

　　再者，今年下半年NAND Flash明显缺货，三大厂也将部分DRAM产能移转生产NAND Flash，而日前大陆西安变电站爆炸，三星西安厂的意外跳电让内存模块厂于当天停止DRAM与NAND Flash供货，多重因素引爆DRAM现货市场价格全面上涨，一扫过去一路走跌的阴霾。

　　在标准型DRAM供不应求之际，利基型DRAM也出现供货不足情况。事实上，三大厂淡出2Gb以下低容量利基型DRAM市场，在Mobile DRAM产品组合中也大举撤出LPDDR2市场，并全面降低LPDDR3供货量。

　　也因此，大陆多数系统厂无法取得足够DRAM货源因应下半年旺季需求，已转向南亚科、华邦电等台湾业者采购，既然DRAM市场已是供不应求，第3季合约价也顺利调涨。

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