英飞凌推出适合低/高功率高效率应用的高压MOSFET

英飞凌推出适合低/高功率高效率应用的高压MOSFET

　　英飞凌科技股份有限公司扩增旗下CoolMOS 技术产品系列，推出 600 V CoolMOS P7 和 600 V CoolMOS C7 Gold (G7) 系列，能够以 600 V 崩溃电压运作，具有更佳的超接面 MOSFET 效能，可让各种目标应用达到无可比拟的功率密度。

　　600 V CoolMOS P7：高效率和易用性的最适组合

　　新推出的 P7 在一体化设计的流程中提供出色的易用性，基準的效率和最佳的性价比，目标应用包括充电器、适配器、照明、电视、PC 电源、太阳能、伺服器、电信及 EV 充电等，可涵盖 100 W 至 15 kW 的功率等级。600 V CoolMOS P7 可在各种拓朴中实现多达 1.5% 的效率提升，温度改善亦较竞争产品多达 4.2°C。

　　600 V CoolMOS P7 产品拥有 37 m? 至 600 m? 的宽广通态电阻RDS(on) 範围，提供表面黏着 (SMD) 或插入型封装，适合多种应用与功率範围。此外，超过 2 kV (HBM) 的卓越 ESD 耐用性，可保护装置避免因生产过程中的静电放电而损坏，进而提升了製造品质。最后，强固的本体二极体则能在 LLC 电路的硬式换流事件中保护装置。

　　600 V CoolMOS C7 Gold：创新 SMD TO 无引线封装实现同级最佳 FOM

　　G7 具有更低的通态电阻 RDS(on)、最小的闸极电荷 QG、更低的输出电容储存电力以及 TO 无引线封装提供的4 接脚 Kelvin 源极功能，可将 PFC 与 LLC 电路的耗损降到最低，实现 0.6% 的效能提升，并提高 PFC 电路的全负载效率。低寄生源电感仅 1 nH，亦有助于提高效率水準。

　　TO 无引线封装拥有更佳的散热性，适用于更高电流的设计。而 SMD 技术则有利于节省黏着製程成本。此外，600 V CoolMOS C7 Gold 拥有业界最低的 RDS(on)，介于 28 m? 至 150 m?。相较于传统的 D2PAK封装，其尺寸缩小 30%、高度减少 50%、空间节省 60%。综合上述特性，使本产品极适合应用于伺服器、电信、工业与太阳能等需求最高效能与基準功率密度的应用。

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