中国FD-SOI生态正形成 “换道超车”可期

　　中国市场会是FD-SOI的主力市场，“我们有幸看到，中国将成为包括半导体在内的电子产业价值链的主要增长地区。为满足各种电子产品的需求，中国正全面采用各类主流半导体技术，包括当今晶圆厂广泛采用的平面bulk技术、FinFET技术及大器晚成的新兴FD-SOI技术。”格芯全球副总裁兼大中华区总经理白农说。

格芯全球副总裁兼大中华区总经理白农

　　在制造工艺方面，FD-SOI工艺比FinFET工艺更容易实现。早前国内一些半导体制造商与芯片设计厂商已经开始运用FD-SOI工艺，FD-SOI技术也符合中国代工厂的需求。白农认为，作为一项使用低成本达到生产目标所需时间更短的平面制造技术，FD-SOI工艺将会成为中国电子行业发展的强大驱动力。

　　尽管FinFET目前是主流制程，但未来走到10纳米、7纳米世代后，花得起庞大费用的半导体大厂，恐怕仅剩下苹果(Apple)、高通(Qualcomm)等极少数厂商，这将使得低成本的FD-SOI在大陆市场有机会突围。目前，上海新傲科技(Simgui)已量产8寸SOI衬底片，还有格芯的22纳米和12纳米FD-SOI以及芯原等设计服务厂商的支持，中国发展FD-SOI的基本条件已经具备。

　　目前，业界已经传出部分国内半导体大厂开始考虑FD-SOI技术，如上海华力微除了要生产28、14纳米FinFET制程外，传出正在评估FD-SOI技术，因为以华力微在先进制程的进度，要力拼14纳米FinFET技术非常紧迫且难度极高，若另寻FD-SOI技术领域，不失为另一种变通策略，另外据传MTK正在计划采用FD-SOI工艺制造芯片。虽然这些消息皆为传闻，但从将来的发展形势来看，特别是从物联网领域对低功耗与高性能的需求来看，这些厂商参与进来迟早的事情。

　　目前，格芯与芯原已着手开发IP套件，以双模运营商等级的调制解调器搭配集成的射频前端模组，旨在让客户开发出低成本及低功耗的单芯片解决方案，以供全球部署。据悉，格芯与芯原预计于2017年Q4对基于此集成方案的测试芯片进行流片，并完成验证，双方计划于2018年年中获得运营商许可。

芯原控股有限公司创始人/董事长兼总裁戴伟民博士

　　芯原控股有限公司创始人/董事长兼总裁戴伟民博士告诉记者，自五年前开始，芯原即开始开发FD-SOI IP，并基于FD-SOI 技术一次流片成功了多款芯片产品。就物联网应用而言，除了成本优势之外，集成式射频、体偏压以及嵌入式内存如MRAM，都是28mm CMOS工艺节点往后，FD-SOI技术所具备的重要优势。在格芯22FDX?上集成射频与功率放大器后，基带和协议栈可在高能效且可编程的ZSPnano上得以实现，ZSPnano专为控制和具有低延迟的数据流、单周期指令的信号处理而优化。格芯位于成都的全新FDX?300mm晶圆厂，以及此次合作推出的集成式 NB-IoT、LTE-M单芯片解决方案等IP平台，都将对中国的物联网和AIoT(物联人工智能)产业带来重大的影响。

　　谈及未来FD-SOI的发展节点，格芯白农表示，基于格芯在22FDX?产品取得的成功，公司推出了新的12纳米FD-SOI半导体技术，通过提供业界首个多节点FD-SOI线路图，扩展了其领先地位。下一代12FDX?平台旨在实现包括移动计算、5G连联接、人工智能和自主车辆的各种应用的未来智能系统。全新12FDX?技术专门用于提供前所未有的系统集成度，以及设计灵活性和功率扩展。格芯在德国德累斯顿的Fab 1晶圆厂目前正在为12FDX?的发展和后续制造准备进行准备，第一批为客户生产的产品预计将于2019年上半年正式启动。