三星宣布11纳米芯片新工艺:7纳米也在路上了
Intel虽然一再强调自己的xxnm工艺才是最精确的,比如同样标称10nm,自己要比三星、台积电的领先整整一代,但是没办法,人家的脚步要快得多。
今天,三星电子又宣布了新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”(Low Power Plus),并确认未来7nm工艺将上EUV极紫外光刻。
三星11LPP工艺不是全新的,而是14nm、10nm的融合,一方面采用10nm BEOL(后端工艺),可以大大缩小芯片面积,另一方面则沿用14nm LPP工艺的部分元素。
三星于2016年10月投产10LPE(10nm Low Power Early),并已准备好即将投产10LPP(10nm Low Power Plus),主要为智能手机制造芯片,14nm工艺则针对主流、低功耗和紧凑型芯片。
下一步,三星还会增加14LPU、10LPU版本。
11LPP工艺将填补三星14nm、10nm之间的空白,号称可在同等晶体管数量和功耗下比14LPP工艺提升15%的性能,或者降低10%的功耗,另外晶体管密度也有所提高。
三星计划2018年上半年投产11LPP工艺。
未来,三星还一路准备了9nm、8nm、7nm、6nm、5nm工艺,其中7nm 7LPP版本会全面融合EUV极紫外光刻,确认2018年下半年试产。
另有报道称,在那之前的明年上半年,三星会首先在8LPP工艺的特定层上使用EUV。
三星表示,2014年以来,已经使用EUV技术处理了接近20万块晶圆,取得了丰硕成果,比如256Mb SRAM的良品率达到了80%。
关注电子行业精彩资讯,关注华强资讯官方微信,精华内容抢鲜读,还有机会获赠全年杂志
关注方法:添加好友→搜索“华强微电子”→关注
或微信“扫一扫”二维码
- •大联大品佳集团推出基于Infineon产品的2.5kW空调电源方案2025-09-04
- •嵌入式电子的复杂世界:独立生态系统的分层迷宫2025-09-04
- •X-FAB现推出GaN-on-Si代工服务2025-09-04
- •大联大世平集团推出以旗芯微产品为核心的新能源汽车e-Compressor空压机方案2025-09-02
- •性能/可靠性/效率齐飞!安森美硬核图像传感器六大优势解析2025-09-02
- •元器件终端市场洞察及机会分析|2025082025-09-01
- •MATLAB 助力香港中文大学解决生物医学图像处理挑战2025-09-01
- •Melexis升级锁存器,为电机应用“瘦身”2025-08-29
- •天空之眼:下一代无人机的AI视觉系统2025-08-29
- •思特威推出5000万像素1.0μm手机应用CMOS图像传感器2025-08-28