EUV光刻机将用来生产10nm DRAM，2019年初量产

EUV光刻机将用来生产10nm DRAM，2019年初量产

　　先前传出三星电子耍手段拓展晶圆代工市场，打算买断EUV(极紫外光)设备，让台积电(2330)买不到。不过韩国方面的新消息说，三星大买EUV，不只用于晶圆代工，也会用于记忆体，计划抢先同业，2019年初量产10 纳米DRAM。

　　韩媒BusinessKorea 29日报导，业界人士表示，三星考虑在南韩华城厂增建EUV设备专用的DRAM产线，最快下个月动工，预定2019年启用，将利用初期10纳米技术生产 DRAM，开业界先河。据韩国ETNews报道称，大韩国华城市(Hwasung)的Line 17工厂，预计投资在2.5万亿到3万亿韩元之间，约合22-26.4亿美元。以300mm晶圆计算，扩建之后每月产能将提升3.5万片晶圆，目前的产能约为4万片晶圆/月。

　　目前业者多采用ArF浸润式制程生产DRAM，缩小线宽有其极限，DRAM制程很难微缩至10纳米。EUV有望解决此一问题，实现DRAM的10纳米制程。不同于NAND Flash，DRAM一个记忆胞(cell)就有一个电晶体与电容，当制程下到10纳米，线宽狭小到难以直接将电容堆叠于上头，三星利用四重曝光(quadruple patterning technology ,QPT)技术，来改变10纳米记忆胞结构，让电晶体与电容足以有空间做连结。

　　熟悉三星电子情况的观察家说，EUV多用于7纳米晶圆代工，不过有些可以拿来生产DRAM。问题是10纳米晶圆的生产速度较慢，三星能否获利仍是未知数。预料三星将装设4~8台EUV设备。

　　专家预测，尽管EUV有缺点，三星仍会考虑用EUV生产10纳米DRAM，借此拉开和对手差距，维持市场霸主地位。今年第三季，三星在行动装置和伺服器 DRAM的市占，分别增至58.3%、45.9%。

　　Nikkei Asian Review、BusinessKorea 5月报导，三星是DRAM龙头，制程领先对手1~2年，2016年下半首先量产18纳米DRAM，计划今年下半推进至15纳米。

　　三星一马当先，DRAM第三大厂美光拼命追赶，计划未来两三年砸下20亿美元，研发13纳米DRAM制程。美光在日本广岛厂增设无尘室设备，并购买了多项高价生产仪器。进入13纳米制程之后，同一片晶圆能分割成更多芯片，生产力将提高20%。美光已于今年第一季量产18纳米DRAM。

DRAM 制程转进为什么变得缓慢?

　　电容问题，成为DRAM转进10纳米以下制程的技术难点，另一方面，记忆体大厂在先前DRAM大崩盘下咬牙苦撑下来，却仍旧面临市况持续不佳的景况，近几年制程的提升逐渐变得缓慢，也大幅降低投资的比重，当逻辑制程已来到14/16纳米，记忆体制程才在20纳米，逐步要踏进18/16纳米而已，但对横跨记忆体与晶圆代工的三星而言，即拥有掌握记忆体市场技术转进的本钱。

　　三星与台积电、英特尔之间的逻辑制程竞赛，已进入10 纳米以下制程争战，由于记忆体制程较逻辑制程容易，台积电、三星通常都以SRAM、DRAM 来练兵，制程的转进先从记忆体下手，当良率提升到一定程度再导入逻辑产品。

　　三星在2015 年11 月中即发表10 纳米FinFET SRAM，三星在制程技术即领先记忆体群雄，现在DRAM 制程一举转进10 纳米，借此狠甩对手的意图不言可喻。

　　台积电在2015年年底于供应链管理论坛也透露，早已成功以7 纳米制程产出SRAM，而且预告供应链伙伴可开始准备5 纳米，接下来逻辑制程竞赛同样可期，依台积电与三星先前说法，10 纳米制程量产约在2016 年底，英特尔第一颗10 纳米CPU 则延至2017 年下半。不只记忆体制程竞赛出现大变化，逻辑制程竞赛同样可期。

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