EUV光刻机将用来生产10nm DRAM,2019年初量产

来源:华强电子网 作者: 时间:2017-11-30 09:18

EUV光刻机 10nm dram

  先前传出三星电子耍手段拓展晶圆代工市场,打算买断EUV(极紫外光)设备,让台积电(2330)买不到。不过韩国方面的新消息说,三星大买EUV,不只用于晶圆代工,也会用于记忆体,计划抢先同业,2019年初量产10 纳米DRAM。

  韩媒BusinessKorea 29日报导,业界人士表示,三星考虑在南韩华城厂增建EUV设备专用的DRAM产线,最快下个月动工,预定2019年启用,将利用初期10纳米技术生产 DRAM,开业界先河。据韩国ETNews报道称,大韩国华城市(Hwasung)的Line 17工厂,预计投资在2.5万亿到3万亿韩元之间,约合22-26.4亿美元。以300mm晶圆计算,扩建之后每月产能将提升3.5万片晶圆,目前的产能约为4万片晶圆/月。

  目前业者多采用ArF浸润式制程生产DRAM,缩小线宽有其极限,DRAM制程很难微缩至10纳米。EUV有望解决此一问题,实现DRAM的10纳米制程。不同于NAND Flash,DRAM一个记忆胞(cell)就有一个电晶体与电容,当制程下到10纳米,线宽狭小到难以直接将电容堆叠于上头,三星利用四重曝光(quadruple patterning technology ,QPT)技术,来改变10纳米记忆胞结构,让电晶体与电容足以有空间做连结。

  熟悉三星电子情况的观察家说,EUV多用于7纳米晶圆代工,不过有些可以拿来生产DRAM。问题是10纳米晶圆的生产速度较慢,三星能否获利仍是未知数。预料三星将装设4~8台EUV设备。

  专家预测,尽管EUV有缺点,三星仍会考虑用EUV生产10纳米DRAM,借此拉开和对手差距,维持市场霸主地位。今年第三季,三星在行动装置和伺服器 DRAM的市占,分别增至58.3%、45.9%。

  Nikkei Asian Review、BusinessKorea 5月报导,三星是DRAM龙头,制程领先对手1~2年,2016年下半首先量产18纳米DRAM,计划今年下半推进至15纳米。

  三星一马当先,DRAM第三大厂美光拼命追赶,计划未来两三年砸下20亿美元,研发13纳米DRAM制程。美光在日本广岛厂增设无尘室设备,并购买了多项高价生产仪器。进入13纳米制程之后,同一片晶圆能分割成更多芯片,生产力将提高20%。美光已于今年第一季量产18纳米DRAM。

DRAM 制程转进为什么变得缓慢?

  电容问题,成为DRAM转进10纳米以下制程的技术难点,另一方面,记忆体大厂在先前DRAM大崩盘下咬牙苦撑下来,却仍旧面临市况持续不佳的景况,近几年制程的提升逐渐变得缓慢,也大幅降低投资的比重,当逻辑制程已来到14/16纳米,记忆体制程才在20纳米,逐步要踏进18/16纳米而已,但对横跨记忆体与晶圆代工的三星而言,即拥有掌握记忆体市场技术转进的本钱。

  三星与台积电、英特尔之间的逻辑制程竞赛,已进入10 纳米以下制程争战,由于记忆体制程较逻辑制程容易,台积电、三星通常都以SRAM、DRAM 来练兵,制程的转进先从记忆体下手,当良率提升到一定程度再导入逻辑产品。

  三星在2015 年11 月中即发表10 纳米FinFET SRAM,三星在制程技术即领先记忆体群雄,现在DRAM 制程一举转进10 纳米,借此狠甩对手的意图不言可喻。

  台积电在2015年年底于供应链管理论坛也透露,早已成功以7 纳米制程产出SRAM,而且预告供应链伙伴可开始准备5 纳米,接下来逻辑制程竞赛同样可期,依台积电与三星先前说法,10 纳米制程量产约在2016 年底,英特尔第一颗10 纳米CPU 则延至2017 年下半。不只记忆体制程竞赛出现大变化,逻辑制程竞赛同样可期。



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