Yole:供需失衡推动存储芯片价格上涨,市场年均增长9%
存储器行业正处于强劲增长的阶段。Yole在其《2017年存储器封装市场与技术》报告中预计,2016~2022年整个存储器市场的复合年增长率约为9%,到2022将达到1350亿美元,DRAM和NAND市场份额合计约占95%。此外,供需失衡正推动存储器半导体芯片价格上涨,导致存储器IDM厂商获得创纪录的利润!
存储器的需求来自各行各业,特别是移动和计算(主要是服务器)市场。平均而言,每部智能手机的DRAM内存容量将增长三倍以上,预计到2022年将到6GB左右,而每部智能手机的NAND存储器容量将增加5倍以上,预计到2022年将达到150GB以上。对于服务器来说,预计到2022年DRAM存储器容量将达到0.5TB以上,企业级市场SSD的NAND存储器容量将高达5TB以上。这些市场的增长驱动力来自深度学习、数据中心、网络、AR/VR和自动驾驶。
智能手机和服务器的DRAM和NAND容量需求
通常使用低密度(low-MB)存储器的汽车市场将会出现以自动驾驶和车载信息娱乐为主导的DRAM内存的采用。此外,NOR闪存市场正在复苏,预计将以惊人的16%复合年增长率成长,预计到2022年将达到44亿美元,主要原因是其在如AMOLED显示器、触摸显示驱动器IC和工业物联网等新领域的应用。
在供应端方面,因为供应商的整合和技术挑战造成先进节点的推行较难,并且从2D转移到3D NAND的过程中需要大量投资,所以导致DRAM和NAND存储器供应的短缺。DRAM厂商希望维持较高的产品售价和盈利能力,以合理化他们在先进节点迁移方面的巨额资本支出,因此倾向不会增加产能。
存储器芯片使用多种封装技术,从引线框架到硅通孔(TSV)
存储器芯片的封装有多种选择,包括从引脚数少、外形小的SOP封装到引脚数多的硅通孔(TSV)等各种封装技术,而这些技术的选择取决于密度、性能和成本等产品要求。Yole分析确定了五个核心存储器芯片封装平台:引线框架、引线键合BGA、倒装芯片BGA、晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)、硅通孔(TSV)。每种技术都包括许多不同的变化形式,并拥有不同的术语。我们预计2016~2022年整个存储器芯片封装市场的复合年增长率为4.6%,2022年将超过250亿美元。
存储器芯片的封装类型
2016年,引线键合BGA占据存储器芯片封装市场的80%以上份额。同样是在2016年,倒装芯片BGA开始进入DRAM存储器芯片封装市场,预计未来五年将以20%的复合年增长率成长,将占据整个存储器芯片封装市场的10%左右市场份额。随着高带宽需求的推动,DRAM PC/服务器领域的应用日益增多,推动了倒装芯片市场的增长。三星电子(Samsung)已经将其90%以上的DRAM芯片封装转换为倒装芯片,SK海力士也开始转型,其它厂商未来也都将逐步采用倒装芯片。事实上,我们相信所有用于PC/服务器的DDR5存储器最终都将使用倒装芯片。
由于高带宽和存储器芯片对各种应用中的高性能计算的低延迟需求,硅通孔(TSV)正被用于高带宽存储器芯片中。2016年硅通孔(TSV)市场在存储器芯片封装市场中的份额不到1%,但是未来五年的复合年增长率超过30%,预计到2022年,硅通孔(TSV)市场份额将达到8%。同时,晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)将被NOR闪存和利基市场的存储器(EEPROMs / EPROM / ROM)采用,预计其复合年增长率超过10%,不过到2022年,晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)市场份额还不到1%。
对于移动应用,存储器芯片封装将主要维持在引线键合BGA平台上,但是,将很快开始向高端智能手机的多芯片封装(ePoP)迈进。NAND闪存芯片的主要要求是低成本的高存储密度。NAND采用引线键合堆叠形式,以便在单个封装中提供高密度。
NAND闪存芯片封装将保持采用引线键合BGA形式,不会迁移到倒装芯片。但是,东芝将开始在NAND闪存芯片中使用硅通孔(TSV)来提高高端应用的数据传输速率。在东芝之后,我们相信三星电子和SK海力士将会推出硅通孔(TSV)封装的NAND芯片。
存储器芯片封装的价值很高,主要被IDM“把控”
2016年存储器芯片封装市场规模约为200亿美元。虽然许多外包半导体封装测试厂商(OSAT)涉足存储器芯片封装业务,但是80%以上的封装仍在存储器芯片IDM厂商内部完成。全球领先的IDM厂商在封装方面拥有相当丰富的知识,积累了多年的项目经验,并拥有强大的内部制造能力。
2016~2022年存储器芯片封装市场
OSAT厂商受到IDM厂商影响,在存储器芯片封装业务的机会有限。然而,许多中国厂商正在投入超过500亿美元的资金进入存储器领域。与全球领先的IDM厂商不同,中国新兴的厂商缺少存储器芯片封装的经验,他们将会把封装业务外包给OSAT厂商。
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