三星10nm内存颗粒扩产 产品售价不降反涨
本周,据韩联社报道,三星电子宣布开始使用第二代10nm工艺生产出了8Gb DDR4颗粒,这是继第一代10nm工艺生产后时隔两年的时间,技术上的再一次迭代。
此次三星开发的DDR4颗粒可以说是目前最为精密的DRAM颗粒,产能相比一代有着30%的提升,速度方面也有10%的提升,三星的新产品线开始运作确实能够解决目前各领域在DRAM颗粒需求的“燃眉之急”,基本满足了全球各大产品端的使用需求。
那么2018年内存会不会降价?答案仍是“不会”。
在三星宣布使用第二代10nm工艺当天,也同时表示三星并不会立即扩大DRAM颗粒的出货量,或许这也意味着内存、SSD等DIY存储市场的相关产品并不会在短时间内降价;或许三星这一举仍在解决良品率以及进一步的完善颗粒质量。

三星电子的华城工厂(京畿道华城市)
三星股票自从2016年初以来,至今已大涨120%,营收方面也一直呈上升趋势。而随着整体行业的缺货以及国内存储市场不断地涨价,三星的营收及利润、股价也会随之继续攀升,而从现在的颗粒市场来看,今年的四季度场已经看到了NAND Flash价格开始翻转的趋势,这也许也就意味着明年开始,市场对于DRAM颗粒需求也将相对减弱。
而目前,原材料现在正处于供应量大幅增加阶段;虽然依照目前的格局和趋势来看,市场中有出现供应过剩的风险,但在产品端零售用户在产品的使用诉求来看,实际产品的价格也并不会在短时间内实现下跌。从国内的存储供应链来看,2018下半年甚至2019年才会呈现产品的实际降价。

2015-2017年全球DRAM颗粒收入(单位:百万美元)

2010-2017三星DRAM全球占有率
从数据中我们看到,2016年初至今,每一年的DRAM颗粒收入都在猛增,2017年4季度相比2016年1季度的收入金额已经翻了两倍还要多,这也足以证明了目前庞大的市场需求仍然没有停止,此次三星上线第二代10nm颗粒工艺产品线,目的也是为了应对与日俱增的行业需求,30%的产能提升也跟那个能够让三星占据更大的市场份额。
而从2016年到2017年末,三星已经占据了接近一半的存储市场,在明年这一比率还将继续扩张,然而这个时候的国内存储领域将面临激烈竞争。
- •Vishay新款IHXL系列电感器提供高达209 A的额定电流,铁芯损耗降低20%2026-06-12
- •思特威亮相AutoSens USA,全场景车载视觉方案赋能智驾升级2026-06-12
- •安森美发布GaNEXUS氮化镓功率产品组合2026-06-10
- •打造智能照明创新范式,大联大世平集团携手ams OSRAM深度解析EVIYOS前沿应用方案2026-06-10
- •兆易创新推出全新光模块专用MCU,聚力光互联产业升级2026-06-10
- •Wolfspeed 发布新一代技术,推出业界最低导通电阻的碳化硅 MOSFET2026-06-10
- •碳化硅赋能浪潮教程:SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析2026-06-10
- •安森美率先推出Elite Pairing Studio,简化电源设计2026-06-10
- •开启SDV浪潮下智能照明新纪元,大联大世平集团携手安森美分享10BASE-T1S ADB前照灯方案2026-06-08
- •Cadence携 NVIDIA发布业界首款具备全自主芯片设计能力的虚拟工程师2026-06-08






