SK海力士发布业内首款4D闪存,韩媒称其营销用意更大

来源:韩媒 作者: 时间:2018-08-15 09:40

sk海力士 4D闪存 营销

  近日SK海力士公布了最新的96层3D NAND Flash技术,并赋予此技术4D的名称。据悉,SK海力士的首款4D闪存是V5 512Gb TLC,采用96层堆叠、I/O接口速度1.2Gbps(ONFi 4.1标准)、面积13平方毫米,预计今年第四季度出样。

  4D闪存的营销用意更大?

  据韩媒Ddaily报导指出,SK海力士最新的96层3D NAND Flash技术,特色是采用Charge Trap Flash(CTF)结构,将外围电路(Peripheral under Cell,简称“PUC”)的位置由水平改为垂直,PUC构造目的在于缩减芯片面积,采在周边晶体管(Transistor)上直接蒸镀晶胞(Cell)阵列堆叠而上的方式。因此,蚀刻制程与导电材料是技术关键,目前SK海力士控制栅极材料是以适当比例的钨、铜、铝混合而成。

  值得一提的是,报道还指出,SK海力士所公开的PUC并非全新技术,美光早前已开发出类似的Cell on Peripheral(COP)技术,并用于生产3D NAND Flash,而SK海力士赋予此技术4D的名称,是为营造出较3D先进的意象,营销的用意更大,最终能否获得市场青睐,仍待观察。

  而据SK海力士透露,公司内部的4D闪存已经推进到了128层堆叠,很快可以做到单芯片512GB,2015年已做到单芯片8TB。目前,SK海力士的3D NAND是72层堆叠,单芯片最大512Gb(64GB),首款企业级产品PE4010已于今年6月份出货给微软Azure服务器。

  同时,SK海力士也透露,已经开始向慧与科技(HPE)出货导入72层3D NAND Flash的SATA固态硬盘(SSD),虽非高端产品,但意味着SK海力士正在为挑战企业级SSD市场做准备。

  SK海力士正在全球增设产能

  近几年,受惠于DARM内存芯片和NAND闪存芯片强劲的需求推动,SK海力士营收屡创新高。据公司最新发布的第二季度财报显示,SK海力士第二季度净利润达到创纪录的4.3万亿韩元(约合38.4亿美元),同比增长75.4%。

  其中,第二季度DRAM芯片出货量同比增长了16%,因市场供应短缺,销售价格同比上涨了4%;而第二季度NAND芯片出货量同比增长了19%,但因产品供应量的增加,销售价格下滑了9%。

  SK海力士表示,随着中美两国数据公司企业投资的增加,今年下半年与服务器相关的产品需求仍将会增长。此外,对移动设备的季节性需求,包括新款智能手机的发布,也将为相关产品提供支持。SK海力士还表示,DRAM内存芯片的供给短缺问题仍将会随着时间推移继续存在。

  为满足内存芯片市场越发旺盛的需求,今年7月底,SK海力士宣布将在总部京畿道利川市新建一座半导体工厂,新工厂总投资额达3.4万亿韩元(约合人民币215亿元),预计2018年底开工建设,计划2020年10月份完工。

  除了建设新厂,SK海力士还将持续提升利川市M14工厂(2015年建成)的产能;同时,SK海力士在韩国清州增设的洁净室将于今年9月底之前完工,定于明年年初投产;此外,公司还将扩大中国无锡工厂的无尘室面积,预计今年下半年完成。

  据悉,等到新工厂全部建设完毕、设备安装到位之后,SK海力士的总投资额或将超过46万亿韩元(约合人民币2800亿元)。



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