东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET

东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET

　　东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET---TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。

　　U-MOS X-H系列产品示意图

　　新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。

　　由于采用了其最新一代的工艺制造技术，与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此，新产品可提供业界最低[3]功耗。

　　东芝正在扩展其降耗型产品线，从而为降低设备功耗提供帮助。

　　应用：

　　?开关电源(高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等)

　　?电机控制设备(电机驱动等)

　　特性：

　　?业界最低[3]功耗(通过改善导通电阻与栅极电荷特性[2]之间的平衡)

　　?业界最低[3]导通电阻：

　　RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)

　　RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)

　　?高额定通道温度：Tch=175℃