意法半导体新MOSFET提高能效，最大限度降低开关功率损耗

意法半导体新MOSFET提高能效，最大限度降低开关功率损耗

STPOWER MDmesh K6 新系列超级结晶体管改进多个关键参数，最大限度减少系统功率损耗，特别适合基于反激式拓扑的照明应用，例如， LED 驱动器、HID 灯，还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。

意法半导体800V STPOWER MDmesh K6系列，为这种超级结晶体管技术树立了高性能和易用性兼备的标杆。MDmesh K6 的RDS(on) x 面积参数在市场上现有800V产品中处于领先水平，能够实现紧凑的集高功率密度与市场领先的能效于一身新的新设计。

此外，K6 系列的阈压比上一代MDmesh K5更低，可使用更低的电压驱动，从而降低功耗并提高能效，主要用于零功耗待机应用。总栅极电荷 (Qg) 也非常低，可以实现高开关速度和低损耗。

芯片上集成一个 ESD 保护二极管，将 MOSFET 的整体鲁棒性提高到人体模型 (HBM) 2 级。

意大利固态照明创新企业TCI(www.tcisaronno.net）的首席技术官、研发经理 Luca Colombo 表示:“我们已经测评了新的超结超高压MDmesh K6 系列的样片，并注意到其出色的Rdson* 面积和总栅极电荷 (Qg) 性能特点，给我们印象深刻。”

采用 TO-220 通孔封装的STP80N240K6 (RDS(on)max = 0.22?, Qgtyp = 25.9nC)是首批量产的MDmesh K6 MOSFET，ST eSTore网上商店现已提供免费样片。DPAK 和 TO-220FP 版本将于 2022 年 1 月前量产。订购1000 件，单价1.013 美元起。

意法半导体将于 2022 年前推出MDmesh K6 的完整产品组合，将导通电阻RDS(on)范围从 0.22Ω扩大到 4.5Ω，并增加一系列封装选项，包括 SMD 和通孔外壳。