英飞凌推出全新车规级750 V EDT2 IGBT,适用于分立式牵引逆变器
3月21日,英飞凌科技股份公司宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化,进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。得益于其出色的品质,EDT2 IGBT符合并超越了车规级半导体分立器件应力测试标准AECQ101,因而能够大幅提升逆变器系统的性能和可靠性。该 IGBT采用汽车级微沟槽场中止单元设计,所用技术已成功应用于EasyPACK? 2B EDT2和HybridPACK?等多款逆变器模块。
为了满足目标应用的要求,英飞凌新推出的EDT2 IGBT产品系列具备出色的抗短路能力。此外,它所采用的TO247PLUS封装具有更大的爬电距离,更有利于进行系统设计。同时,EDT2技术专门针对牵引逆变器进行了优化,击穿电压为750 V,可支持高达470 VDC的电池电压,并显著降低开关和导通损耗。
分立式EDT2 IGBT在100°C的温度条件下运行时,额定电流通常为120 A或200 A,这两款型号均具有极低的正向电压,相比上一代产品,导通损耗降低了13%。其中,额定电流为200 A的AIKQ200N75CP2,在采用TO247Plus封装的分立式IGBT产品中堪称出类拔萃。因此,仅需少量的并联器件,便可实现既定的目标功率等级,同时还可提高功率密度,降低系统成本。
此外,EDT2 IGBT的参数分布非常紧凑。集电极-发射极饱和电压(Vce(sat))的典型值与最大值之间相差不足200 mV,栅极阈值电压(VGEth)也相差不到750 mV。而且饱和电压为正温度系数。总之,这些特性有助于轻松实现并联运行,从而提高最终设计的系统灵活性和功率可扩展性。除此之外,这款IGBT器件还拥有平稳的开关特性、低栅极电荷(QG)和175°C的最高结温温度(Tvjop)等优点。
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