德智新材2.5亿元半导体用碳化硅蚀刻环项目预计明年投产
株洲高新区消息显示，湖南德智新材料有限公司半导体用碳化硅蚀刻环项目完成了主体工程建设，并预计在明年初投产。
据悉，德智新材料半导体用碳化硅蚀刻环项目总投资约2.5亿元，主要用于半导体用碳化硅蚀刻环的研发、制造，投产后年产值超1亿元。
SiC刻蚀环是半导体材料在等离子刻蚀环节中的关键耗材。SiC刻蚀环对纯度要求极高，只能采用CVD工艺进行生长SiC厚层块体，随后经精密加工而制得，主要用于半导体刻蚀工艺的制备环节。
湖南德智新材料有限公司是一家专业从事碳化硅纳米镜面涂层及陶瓷基复合材料研发，生产和销售的高新技术企业。
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