美光宣布全球首款 232 层 TLC NAND 芯片出货

 7 月 26 日消息，今天，美光公司宣布已开始量产全球首款 232 层 NAND，与前几代美光 NAND 相比，它具有业界最高的面密度，并提供更高的容量和更高的能效。

美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示：“美光的 232 层 NAND 是存储创新的分水岭，首次证明了将 3D NAND 扩展到 200 层以上的生产能力。”

官方表示，美光的 232 层 NAND 技术实现业界最快的 NAND I / O 速度：每秒 2.4 GB，比美光 176 层 NAND 快 50%。美光的 232 层 NAND 实现了有史以来最高的每平方毫米 TLC 密度：14.6 Gb/mm2 。232 层 NAND 采用新的 11.5 毫米 x 13.5 毫米封装发货，其封装尺寸比美光前几代产品小 28%。美光 232L TLC NAND 被称为 B58R，单 Die 容量 1Tb，可以以 16*Die 封装实现单芯片封装内 2TB 的容量。

了解到，美光的 232 层 NAND 现已在该公司的新加坡工厂量产，最初将以组件形式通过 Crucial 英睿达 SSD 消费产品线向客户发货。