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东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150VN沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出
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ADI公司推出故障检测和保护、低/超平电阻开关系列产品
ADI推出了故障检测和保护、低/超平电阻开关系列产品：ADG5412F、ADG5413F、ADG5412BF和ADG5413BF。这种创新型开关技术可在通道发生故障时进行识别，从而无需额外的硬件和软件故障检测方案，提高了系统正常运行时间。这些新
2014-11-18 09:00 -
Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET?P沟道GenIII功率MOSFET。VishaySiliconixSi7157DP
2014-01-22 09:38 -
Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻
日前，Vishay宣布，推出采用PowerPAK?ChipFET?和PowerPAK1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET?P沟道GenIII功率MOSFET。今天推出的VishaySiliconixMOSFET可提高便携式计算和
2013-12-03 09:24 -
东芝采用第八代工艺打造高性能低导通电阻MOSFET
东芝公司(ToshibaCorporation)推出了一款低导通电阻MOSFET——TPN2R503NC。该产品采用最新的第八代工艺打造，可用于锂离子电池保护电路和手机电源管理开关。其他两款第八代产品TPN4R203NC和TPN6R303NC也
2012-12-12 09:46