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2021年至2025年第三代功率半导体年复合增长率达48%
3月10日，集邦咨询发布报告称，目前最具发展潜力的材料是具备高功率及高频率特性的宽带隙（WideBandGap，WBG）半导体，包含碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），主要应用多为电动汽车、快充市场。据TrendForce集邦咨询研究推估，第三
3月10日，集邦咨询发布报告称，目前最具发展潜力的材料是具备高功率及高频率特性的宽带隙（WideBandGap，WBG）半导体，包含碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），主要应用多为电动汽车、快充市场。据TrendForce集邦咨询研究推估，第三
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