2021年至2025年第三代功率半导体年复合增长率达48%
3月10日，集邦咨询发布报告称，目前最具发展潜力的材料是具备高功率及高频率特性的宽带隙（Wide Band Gap，WBG）半导体，包含碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），主要应用多为电动汽车、快充市场。据TrendForce集邦咨询研究推估，第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，至2025年将成长至47.1亿美元，年复合增长率达48%。
相较传统Si base，第三类功率半导体衬底制造难度较高且成本较为昂贵，目前在各大衬底供应商的开发下，包括Wolfspeed、II-VI、Qromis等业者陆续扩增产能，并将在2022下半年量产8吋衬底，预期第三类功率半导体未来几年产值仍有成长的空间。