扩大市占 海力士2012年前拟投资近80亿美元
韩国媒体Korea Times独家获得海力士(Hynix)内部资料，显示该公司在2012年前，将投注9兆韩元(约79.4亿美元)的资本支出金额。由于不少大型存储器厂商提高投资，预料竞争将加剧。
除提高投资外，该份名为「财务稳健中期策略(Mid-Term Strategies for Financial Soundness)」的文件亦显示，海力士在2012年的营收目标为12兆韩元，较2010年的10兆韩元成长20%，而全球DRAM市占率可望提高至 25%，NAND Flash的市占率则可望达到20%。
这份文件是海力士新任社长权五哲(Kwon Oh-chul)上任后2个月后推出，投资额由3月所提及的2.3兆韩元，大幅拉高至9兆韩元。在最新的计画中，海力士预估2010投资2.5兆韩元、 2011及2012年的投资额分别为3兆、3.5兆韩元。
在财务方面的目标，海力士希望在2012年的营收提升至12兆韩元、税前息前折旧摊提前获利(EBITDA)为5兆韩元，分别由2010年的目标成长1倍。当2007年全球半导体产业表现强健，海力士创下营收的最高纪录，金额为8.6 兆韩元。
此外，海力士将提高财务稳健程度，冀望2012年的负债比下降至20%以下，现金部位提高至4兆韩元；该公司目前的现金约有1.5 兆韩元。
除了财务层面外，该份文件也指出海力士的长期成长策略中，有意加强晶圆代工事业，与台积电的竞争程度可能提升。
海力士目前仍在替28%的股权寻找买主，2001年时的债权人转变成为股东，但是相当积极的希望能够出脱其持股。
海力士在2010年第1季创下自2006年第4季以来最好的获利纪录，金额达8,172亿韩元。海力士预期2010年来自DRAM的营收可望上看253亿美元，2012年则提升至 304亿美元。