下一代晶体管王牌：何种技术领跑22nm时代？

下一代晶体管王牌：何种技术领跑22nm时代？

    不过，该领域最近也加入新的角逐者。新创业者SuVolta最近公布一项技术，使用沉积制程在传统块状平面MOSFET沟道下建构埋入式接面。将这个接面反向偏置即可建构出一个沟道下的耗尽区，能有效地模仿FDSOI的埋入氧化层，薄化沟道的活动区域，直到栅极几乎耗尽。

    SuVolta的技术相当有趣，但尚未广为人知。不过，该公司的技术可能会成为一些较小型晶圆厂的选择。以富士通为例，这家公司并未挹注资金在FinFET的技术竞赛中，而且也不打算为FDSOI晶圆支付额外的初始成本。

    因此，目前在下一代晶体管的竞争中，可看到台积电正致力于提供20nm平面制程。不过，台积电可能很快进行调整，在推出16nm制程前针对行动应用提供FinFET选项。英特尔仍持续专注在其FinFET上。IBM和Globalfoundries以及ST可能会在22nm使用FDSOI。富士通可能持续与SuVolta共同发展其技术。而其他业者的下一步，则将取决于其客户需求。如果说28nm有带来什么启示，那就是新制程不一定都会运作得很顺畅。