恩智浦推出首款采用2 mm x 2 mm无引脚封装的低VCEsat双晶体管

       恩智浦半导体近日推出业内首款双晶体管产品，具有低饱和电压特性，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平无引脚）封装。15种采用无引脚、薄型DFN2020-6 (SOT1118)封装的全新产品即将上市，它们的集电极电压(VCEO)为30 V、60 V和120 V (PBSS4112PAN)。

       这些超小型双晶体管的集电极电流(IC)最大值可达2 A，能够处理高达3 A的峰值电流。同时，它们的效率极高，具有低至60 mV的超低饱和电压 (PBSS4230PANP)，使其针对移动应用具有更低的功耗和更长的电池寿命。采用DFN2020-6封装的全新双晶体管非常适合用于负载和电源开关、智能手机和平板电脑等便携式应用中的电源管理和充电电路、背光装置以及其他空间受限型应用。恩智浦采用DFN2020封装的所有全新低VCEsat双晶体管产品均符合AEC-Q101汽车标准。

       DFN2020-6比标准SO8封装小8倍，具有出色的热功耗能力(Ptot = 1 W)。具有热沉的DFN封装仅0.6mm高，因此可替代SO8或SOT457等许多尺寸较大的晶体管封装。

      全新的DFN2020封装类产品丰富了恩智浦的低VCEsat晶体管产品组合，目前已包括36款采用无引脚和标准SMD封装的双晶体管，以及250多种高达500 V和7 A的单晶体管。

       链接

·         恩智浦采用DFN2020-6封装的全新低VCEsat双晶体管：;

·         集电极电压最高的全新产品（PBSS4112PAN，120 V，1 A NPN/NPN）：;

·         饱和电压最低的全新产品（PBSS4230PANP，30 V，2 A NPN/PNP，VCEsat：60 mV）：;

·         DFN2020-6 (SOT1118)封装信息页面：http://www.nxp.com/packages/SOT1118.html