TI推GaN元件 功率半导体市场再掀波澜

　　谈到功率半导体市场，我们都知道英飞凌长年居于龙头地位，当然，在该市场中，TI(德州仪器)也一直以主要供应商自居，在电源管理领域不断推出新款的解决方案。

　　自去年三月，TI推出了以GaN(氮化镓)为基础的80V功率模组，而今年五月，更推出了高达600V的整合方案LMG3410，试图扩大在功率半导体市场的影响力。为了能让台湾市场更加了解该款产品的重要性与特色，TI也罕见地有高阶主管与台湾媒体会面并进行互动。TI Broad Market Power副总裁暨总经理Hagop Kozanian表示，此次所推出GaN 600V方案是将开关元件与驱动晶片加以整合的功率模组，有别于传统的离散电路设计，对于过电流保护、温度侦测与管理等，都能有相当出色的表现，当然，有别于传统矽制程的开关元件，以GaN为基基础的方案，其开关损耗的表现也优于矽制程。

　　Hagop Kozanian进一步谈到，TI在GaN元件的验证上，TI花了相当多的时间与资源，再者，由于伺服器领域开始将数位电源设计视为重点，TI相较于其他竞争对手，能够提供的方案也相对完整许多。锁定的应用类别，像是伺服器与基地台的AC/DC电源、马达控制、太阳能逆变器与积架式电源模组等，目前TI也已经提供开发板让客户可以进行设计。

　　然而，我们也知道，功率元件最重要的关键之一，在于开关元件的切换频率，Hagop Kozanian表示，目前在开发板上的LMG3410的切换频率设定在140kHz，当然，常理而论，其切换频率要达到1MHz并没有问题，只是考量到系统层级的设计，才将频率设定在这样的水准。

　　不过，综观整体功率半导体市场，除了十分常见以矽制程为主的MOSFET以外，还有IGBT与SiC(碳化矽)等，其中又以IGBT技术成熟度最高，应用也相当普遍，对此，Hagop Kozanian的看法又是如何?Hagop Kozanian强调，切换频率与封装技术的表现是TI在该市场十分重视的议题，TI的确也有打算推出更高电压的GaN产品，但他却也保守地说，IGBT的确在市场上行之有年，应用层面也相当普及，TI并不认为，GaN会在短期内就取代IGBT，但长期来看，TI抱持着乐观的态度来看待GaN元件市场的发展。

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