7nm战场：台积电三星积极英特尔谨慎

7nm战场：台积电三星积极英特尔谨慎

　　在全球晶圆代工厂积极抢攻 7 纳米先进制程，都想在 7 纳米制程领域抢下龙头宝座的情况之下，三大阵营台积电 (TSMC) 、三星、以及由 IBM 提供协助的格罗方德 (GlobalFoundries) 谁最后终将出线，结果将牵动全球半导体市场的生态。

　　根据外媒表示： 2016 年晶圆代工的主流制程是 14 及 16 纳米的 FinFET 制程，其主要业者包含了英特尔 (Intel) 、台积电及三星 / 格罗方德三大阵营，而且战场延伸到下一代 10 纳米先进制程，同样的此三大阵营都宣布将在 2017 年量产。不过，由于 10 纳米制程主要针对低功耗移动芯片的生产。因此，更先进一代的 7 纳米才被认为是首次突破 10 纳米极限的高性能先进制程，而也是三方争抢的重点。

　　目前，台积电及三星都准备在 7 纳米先进制程上抢先发，而在此前缺席了的格罗方德这一次决定摆回劣势，誓言在 7 纳米制程领先。不过，过往在 14 纳米及 10 纳米都有参与的英特尔，在 7 纳米制程上表态很谨慎。因为要与台积电与三星竞争 3 个世代以上的制程，使得英特尔的 7 纳米制程至少要等到 2020 年才有机会量产。但是，相对于英特尔而言，台积电和三星就显得积极许多。

　　在三星的部分，前不久投资钜资购入了 EUV 光刻机，希望在 2017 年开始试产 7 纳米制程，而台积电则是透过 CEO 刘德音表态指出，7 纳米制程的 SRAM 良率已经达 30% 到 40% ，将会是业界首家通过 7 纳米制程认证的半导体公司。至于，过去在 14 纳米制程时代，进度落后三星及台积电的格罗方德，虽放弃自行研发 14 纳米制程技术，改转而选择了三星 14 纳米的 FinFET 制程技术授权。不过，2014 年在收购了 IBM 的晶圆厂业务之后，格罗方德希望急起直追，在 7 纳米制程上拔的头筹。

　　据了解，格罗方德在收购 IBM 的晶圆厂业务中获得了大量有经验的员工，这对推动新制程研发很有帮助。而且，2015 年 7 月份，格罗方德联合 IBM 、三星及纽约州立大学已经率先推出了 7 纳米制程，使得格罗方德逐渐成为一股在晶圆代工业务上不可忽视的力量。日前格罗方德的CTO，高级副总经理 Gary Patton 表示，他们的 7 纳米制程进展已经积极的缩减了新制程的门槛距离。

　　Patton 表示，目前格罗方德在纽约州马尔他市的晶圆厂正在量产 14 纳米制程，这为他们开发更先进的工艺奠定了基础。而对于 7 纳米制程，Patton 表示即便没有 EUV 工艺，他们的新制程也能降低晶圆成本。按照 Patton 的预计，格罗方德的 EUV 制程预计会在 2018 年或 2019 年会少量投产，并且于 2020 年正式量产。

关注电子行业精彩资讯，关注华强资讯官方微信，精华内容抢鲜读，还有机会获赠全年杂志

关注方法：添加好友→搜索“华强微电子”→关注

或微信“扫一扫”二维码