决胜功率器件战场 英飞凌用SiC技术抢夺话语权!

决胜功率器件战场 英飞凌用SiC技术抢夺话语权!

　　如今，随着人口激增、环境恶化以及资源紧缺等问题的日益凸显，发展更高效且清洁的能源技术已成为当今社会的一个重中之重的话题。典型的比如汽车领域，电动化趋势的愈演愈烈，使得高效的充电及节能技术成为市场刚需，如何在能源利用率上更进一步，成为当下困扰广大车厂及技术供应商们的关键难题，除汽车产业以外的其他领域也同样如此。

　　为解决这一难题并推进新型节能技术的发展，5月16日，英飞凌在深圳举办了以SiC器件为主题的专业研讨会，与现场观众和媒体分享了英飞凌在SiC技术领域的最新进展以及对整个市场的看法。

　　相比IGBT等传统功率器件 SiC应用优势多

　　众所周知，作为高功率半导体领域的杰出代表，IGBT过去20年以来的亮眼表现为市场交出了一份满意的答卷。不过，想要在原有基础上更上一层楼，实现质的飞跃，对于目前技术比较成熟的IGBT来说已是难上加难。因此，发展新型的SiC技术就显得尤为必要。

　　英飞凌科技(中国)有限公司大中华工业功率控制事业部副总裁于代辉表示：“相比传统的硅基半导体，碳化硅能够极大的提升器件的载流能力，并由于更高频的技术优势，能够使得周围的电感电容器件的需求大大减少，系统尺寸大幅缩减，很容易减少一半的体积。同样，高效率可以进一步提升周边的散热性能，系统的成本也会因此降低。”

　　英飞凌科技(中国)有限公司大中华工业功率控制事业部总监马国伟博士则从技术的角度分析了碳化硅的应用优势，他表示：“相比IGBT等传统器件而言，碳化硅的优势一方面是很快，另一方面则是很容易驱动。比如我们的SiC是45nC，相比IGBT门极电荷会小三倍，比600伏的MOS更是小两倍。实际应用中，这种更快速且更容易驱动的器件无疑将更具优势。”

　　为推进SiC这种更便捷、安全、清洁且高效的技术进一步融入市场实现落地，英飞凌近年来也在不断加大基础设施等领域的投入，于代辉告诉记者：“除了我们一些传统的芯片和设备以外，我们还在奥地利投入了3500万欧元的资金专用于做SiC器件的研发和生产，同时也在原料供应上与全球主要的SiC材料供应商都签订了长期协议，在最新的6英寸碳化硅晶圆领域能够得到充足供应，引领全球SiC技术不断向前发展。”不过，相比IGBT产业而言，目前碳化硅器件仍处于初级发展阶段，但于代辉认为随着工业、电动汽车、牵引以及UPS等领域对SiC技术的应用及需求的不断增长，未来一旦SiC市场规模上来后，实现普及化也自然不再是问题。