决胜功率器件战场 英飞凌用SiC技术抢夺话语权!

决胜功率器件战场 英飞凌用SiC技术抢夺话语权!

　　IGBT仍是功率器件主流 SiC短期内实现取代并不可能

　　的确，从应用的角度考虑，SiC的诸多优势着实令现有的IGBT难以媲美。但是，就当前市场体量以及器件整体成本仍未达市场预期的大形势下，SiC几年内想要吞噬IGBT的市场实现取代实际上并不可能，或许未来十年都将是不断探索的过程。

　　于代辉认为：“目前，我们还没有看到一个时间点可以全面取代IGBT，尽管SiC器件在某些领域颇具优势。但目前来看，IGBT还没有一个明显的迹象说完全会被淘汰，因为当前的IGBT市场大概有100亿欧元以上的体量。因此，我认为碳化硅主要还是在一些特定领域比如高精尖领域有非常大的优势，可以取代IGBT。但如果这是金字塔，它会是金字塔尖那部分，因为成本也很重要，毕竟IGBT比较成熟，我们没有看到完全替代的迹象。”

　　最后，于总还强调，“SiC是功率器件的未来，相比IGBT而言在技术门槛上相对低一些。如果英飞凌现在不去做这块市场，未来随着越来越多新玩家的加入，所有厂商之间的差距会缩小，我们很可能就会完全失去话语权。”因此，提前布局SiC领域，实现技术根基及市场领导地位的稳固，才能为英飞凌决胜未来功率半导体市场奠定关键基础。(责编：王琼芳)

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