• Intel与美光推出34nm NAND芯片, 引领跨入30nm工艺时代

    Intel和美光(Micron)日前宣布,其合资公司IMFlashTechnologies已经开发出基于34nm工艺的32GbMLCNAND闪存单芯片,该器件die面积仅为172mm2,将使用300m

    2008/06/06 08:00
  • 美发明超材料可完全吸收光线

    据科学日报网站报道,近日,来自美国波士顿学院和杜克大学的科学家研究小组研制出一种高效超材料(metamaterial),能够吸收所有到达其表面的光线,达到光线完全吸收的科学标准。这项研究报告发表在近期

    2008/06/04 08:00
  • 英特尔-美光联合推出34纳米多层单元芯片 走在业界前端

    英特尔(Intel)与美光(Micron)合作推出了34纳米32Gb的多层单元(MLC)芯片,是业内首款小于40纳米的NAND闪存器件,据称在制程竞赛方面走在了东芝(Toshiba)、三星(Samsu

    2008/06/03 08:00
  • “引领LSI业界环保潮流”,NXP介绍节电措施

    荷兰恩智浦半导体(NXP)的日本法人——日本恩智浦半导体5月26日在东京召开记者招待会,阐述了环境问题对策。在过去的几年里,NXP通过LSI的节能化生产以及通过使用LSI产品减少设备耗电量等,强化了以

    2008/06/02 08:00
  • 日开发可预测半导体特性变化的电子模型

    据日本《日刊工业新闻》报道,一家由东芝、NEC电子等11家日本半导体生产商共同出资建立的高技术企业半导体尖端技术公司,近日成功开发出一种电子模型,该模型可被应用于预测互补金属氧化物半导体(CMOS)晶

    2008/05/29 08:00
  • 德州仪器推出极低噪声RRO 运算放大器

    TL97x运算放大器系列产品的工作电压可低至±1.35V,其具有轨至轨输出信号摆幅,分为单路、双路和四路运放版本。当F=1-kHz时,其具有0.003%THD的特性以及4nV/rtHz等效输入电压噪声

    2008/05/28 08:00
  • PAM使用Simucad设计流程流片出第一批集成电路产品

    美国龙鼎微电子有限公司(PAM)致力于设计高级模拟和高压集成电路。它刚刚使用全Simucad工具设计流程成功流片出第一批复杂集成电路产品。SimucadDesignAutomation是世界领先的模拟

    2008/05/27 08:00
  • ASM将提供32nm工艺以后的高介电常数/金属栅极形成技术

    荷兰ASMInternationalN.V.的子公司美国ASMAmerica开始提供ALD(原子层沉积)技术,以用于32nm工艺以后的CMOS栅极堆栈(英文发布资料)。该技术可使Hf类高介电常数(hi

    2008/05/27 08:00
  • 产综研开发出采用强电介质的NAND闪存单元

    日本产业技术综合研究所(产综研)与东京大学,联合研制出了采用强电介质栅极电场效应晶体管(Ferroelectricgatefield-effecttransistor:FeFET)的NAND闪存存储单

    2008/05/27 08:00
  • Tensilica授权MediaPhy使用Diamond 108Mini内核开发

    Tensilica公司和Mediaphy公司共同宣布,位于加州SanJose的MediaPhy公司获得Tensilica公司业界最低功耗的32位处理器内核-Diamond108Mini的授权。Medi

    2008/05/27 08:00
  • 恩智浦半导体的PCTV解决方案被多家领先的消费科技产品制造商选用

    恩智浦半导体(NXPSemiconductors)23日宣布其混合PCTV解决方案系列SAA7231已被众多领先消费产品制造商选择,包括圆刚科技(AVerMedia)、华硕电脑、Creatix、Med

    2008/05/26 08:00
  • 德州仪器最新有机 LED 驱动器为 2.5 英寸便携式显示器提供高效供电

    德州仪器(TI)宣布推出一款可显著改进2.5英寸小型显示器画质的有机发光二极管(OLED)电源驱动器,从而可充分满足新型显示技术不断发展的需求。TPS65136电源IC可支持用于移动电话、数码相机以及

    2008/05/23 08:00
  • 国内首个256位分子存储器电路研制成功

    日前从中国科学技术大学获悉,中国科学院微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室借助中科大国家同步辐射实验室二次X射线光刻工艺,近日成功研制出国内首个256位分子存储器电路。据介绍,分子电路是指在分子层次

    2008/05/22 08:00
  • ASM集成第一个原子工程单金属栅堆栈 简化高k/金属栅工艺

    ASMInternationalN.V子公司ASMAmerica日前宣布推出一个新的原子层沉积(ALD)制程,通过氧化镧(LaOx)及氧化铝(AlOx)高k盖帽层(HighKCaplayers),使3

    2008/05/21 08:00
  • FSI单晶圆清洗技术应用于32nm后段清洗工艺开发

    集成电路生产晶圆清洗系统制造商FSI国际有限公司近日宣布一家重要的半导体制造商在32nm集成电路制造的后段(BEOL)清洗能力开发中选用了FSI单晶圆清洗技术。这家客户经过一系列优中选优的过程,最终认

    2008/05/20 08:00
  • LuAG高折射率材料获得突破性进展

    尽管在45nm技术节点上,绝大部分的芯片制造商都将采用浸没式光刻技术,但是对于32nm而言,哪一种技术才是最佳选择目前还没有定论。其中,一种可能的解决方案就是采用高折射率材料进一步延伸浸没式光刻技术的

    2008/05/16 08:00
  • 盛群推出高电流LED驱动A/D型MCU

    HT46R92、HT46R94是盛群半导体新推出8位高电流LED驱动A/D型MCU。内建的高电流LED驱动电路具有可直接驱动达256个LED的功能,同时具有12位的高速模拟/数字转换,8位脉波宽度调变

    2008/05/15 08:00
  • 研诺推出电流源WLED驱动器

    研诺逻辑科技有限公司(AATI),今日宣布推出AAT3102和AAT3103恒频、基于电荷泵的电流源白色发光二极管(WLED)驱动器。为入门级低成本LCD液晶显示的背光和功能设置较低的手机而设计,这两

    2008/05/15 08:00
  • FSI单晶圆清洗技术被重要全球性半导体制造商用于32nm后段清洗工艺开发

    FSI国际有限公司(FSII),今日宣布一家重要的半导体制造商在32nm集成电路制造的后段(BEOL)清洗能力开发中选用了FSI单晶圆清洗技术。这家客户经过一系列优中选优的过程,最终认定FSI的技术最

    2008/05/14 08:00
  • 德州仪器推出具备集成升压转换器的 D 类音频放大器

    德州仪器(TI)宣布推出一款具备集成升压转换器的单片无滤波器D类音频放大器,该器件适用于众多便携式应用领域,如无线手持终端、个人导航设备、手持式游戏机以及无线免提电话等。该款TPA2014D1可满足设

    2008/05/12 08:00

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