台积电蒋尚义:微缩化与大口径我们都要领先

台积电蒋尚义:微缩化与大口径我们都要领先

此次的结果完全一样。

    问：贵公司很快发布了继28nm后将量产20nm的计划，震惊了半导体业界。并预定2012年第三季开始生产。请问这一代产品的技术策略为何？

    答：除第二代使用高介电金属栅极之外，还将在第五代采用应变硅（strainedsilicon）与低电阻铜布线等（low-resistancecoppermetallization）。

    关于光刻，计划最初将采用反复两次曝光（twoexposurepasses）的双图样微影技术（double-patterninglithography）。之后，如果像超紫外线（EUV）与电子束（EB）等曝光技术足够成熟，或许会转而采用其中之一。

    从20nm代开始，我们还将提供硅通孔（TSV）技术。

    问：可与微细化相提并论的可降低LSI制造成本的另一个因素是晶圆的大口径化。贵公司计划何时导入450mm晶圆？

    答：按过去的历史，每十年出现硅片直径增大，所谓口径化。如果按照过去的趋势，估计会在2013～2014年左右过渡。但是设备制造厂商担心开发费用上涨，对此不抱积极态度。

    我们常常被客户逼着降价。因此，微细化和晶圆的大口径化对我们来说不可或缺。300mm晶圆生产效率的提高已接近顶点，因此过渡到450mm是必须的。